蒸发镀膜法制备电镜样品

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1、实验简介当前，制样技术已多种多样，如生物试样的超薄切片法，固体材料的表面复型法、机械抛光法、化学浸蚀法和电解抛光法，离子减薄和溅射以及蒸发镀膜法等等。本实验中仅对应用广泛，设备由比较简单的蒸发镀膜法作比较详细的介绍。本实验的主要目的是掌握真空镀膜机原理、结构和操作，掌握称重法、干涉测厚法计算膜后，制备非晶锗基底上的铟-镓合金镀电镜试样。 实验原理n       蒸发镀膜制备电镜样品l       透射电镜样品厚度要在100nm以下，样品过厚，对点子束吸收和散射严重，无法透射成像。而扫描电镜则是对因散射离开试样表面的电子成像，试样可略厚。扫描电镜的样品室常可植入大小的试样，扫

2、描隧穿显微镜研究试样表面的结构和性质时，要在试样和探针针尖之间加一定电压，当试样和针尖的距离小于一定值时，会有量子隧穿电流产生。因此，STM试样表面光洁度要求较高。另外，用扫描电镜研究绝缘体时，为避免试样表面积累电荷，破坏成像质量，先要在试样表面蒸发镀一层导电物质。蒸发镀膜是在高真空条件下的操作，所以先要介绍高真空镀膜的工作原理。n       镀膜原理l       当镀膜室内压强为1.3mPa时，空气分子的自由程达0.5m，比蒸发源到基片的距离（0.1m左右）大得多。因此蒸发原子到达基片的过程中与气体分子碰撞的概率很小，可以认为蒸发源是点源。蒸发材料置放在钨丝做成做成的

3、篮内或钼片做成的舟内，当钨篮或钼舟瞬间通过大电流加热时，待蒸发的材料汽化，其分子以直线轨迹向四周空间射出，沉积到适当的基片表面上，形成薄膜。如果镀膜厚度用δ表示，点源到基片距离为r，则蒸发材料的质量为:其中ρ为材料密度，θ为基片到源连线与基片法向的夹角。当基片与源正下方时，θ＝0。注意薄膜的密度略小于同种块状物质的密度。所以实际材料的质量比上式的计算值小百分之十左右。实际上，常常通过对蒸发材料质量的测量来估计膜厚。n       用干涉法测厚l       如果在基片与蒸发源之间放一玻片（但不得遮挡基片），并在镀膜前遮挡住一部分玻片，被遮部分就没有膜，从而形成镀膜的界限。入

4、射光线在玻片和膜的上表面发射后发生干涉。设玻片距源距离为，θ＝0，用干涉显微镜观察交界线条纹的位移量d，则膜厚度为式中为干涉条纹的平均间距，是光波波长。由于，所以基片上的膜厚。对于厚度远小于光波波长的膜，可采用石英晶体测厚仪。把石英晶体放入镀膜室内，根据晶片上沉积的蒸发材料的厚度与晶体振动频率的关系，计算膜厚。实验内容n       镀膜机结构l       以MD-200型高真空镀膜机为例，其真空系统如图2.5.1-1所示，机械泵作为前级泵，真空度可达Pa，油扩散泵为高真空泵，真空度达Pa，结构原理见一般真空技术方面的书籍，此处不多作介绍。n       镀膜工艺l   

5、    电镜样品的基片可以是碳膜、NaCl单晶。待蒸发材料放入钨丝绕制的篮内，钨丝两端接电极。当钨丝通过较大电流（10A以上）时，篮内材料急剧蒸发。挡板是可移动的，在镀膜前要移去挡板。镀膜室的结构如图2.5.1-2所示。（1）用直径0.8～1.0mm的钨丝绕制成两个圆锥形的"花篮"，分别跨接在镀膜室内的两对电极上。（2）如欲制备膜（非晶锗基底上的铟镓合金膜），要求Ge膜厚25nm，铟镓合金膜厚23nm。按点源公式计算并分别用分析天平称出相应材料的质量。Ge以及合金分别放在两个篮内。（3）在做上述工作同时，可启动机械泵，对扩散泵抽真空，扩散泵达10Pa左右时，接通扩散泵冷却水

6、，并对扩散泵油加热。（4）解理一块NaCl单晶，将具有新鲜平整解理面的单晶基片放入真空室内，测量基片到两个钨丝篮的距离和角度。在基片旁叠放两小片玻璃，形成一个台阶，镀膜后，在下片玻璃上形成一个镀膜边界，可用于干涉显微镜测膜厚。（5）盖上真空罩。关闭和，开，对真空镀膜室抽低真空。当真空度达10Pa左右时，关，开启和，用扩散泵对镀膜室抽高真空，当达到Pa时，准备镀膜。（6）用挡板遮住基片和玻璃片，使连接第一对电极的钨丝逐渐呈暗红色，使该篮内的污物受热挥发出来，真空度也随之下降，再将电极旋钮转到Ⅱ，对连接第二对电极的钨篮及待镀材料进行清洁处理，注意电流不可过大，以致镀材料熔化滴落

7、。当真空度再次达到Pa以后，移去挡板，再根据需要，先蒸发第一（或第二）个钨篮被的材料。这时要戴上深色护目镜，观察钨篮中的待镀材料，先缓慢加大工作电流，钨丝篮发红后，迅速增大工作电流，待镀材料很快蒸发，同时发出耀眼的亮光，透过护目镜看到材料蒸发完毕后，迅速将工作电流减小到零。将蒸发电极旋到另一位置，用同样的方法，将另一个钨篮内的材料蒸发，这样在NaCl晶体的上表面得到合金/半导体双层膜，如果待镀材料中有两种（或两种以上）金属，而它们的熔点相差不太大时，同时蒸发可产生合金膜。（7）镀膜完毕后，必须关闭电离规真空计，以防