模拟电子技术思考题2010

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1、模拟电子技术自测题1．在绝对零度（0K）时，本征半导体中____B_____载流子。A.有B.没有C.少数D.多数2．在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生____D_____。A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对3．半导体中的载流子为___D______。A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴4.N型半导体中的多子是______A___。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子5.PN结最重要的特性是_____A____，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中，掺杂

2、浓度最大的是____B______区。A、单向导电性B.eC.cD.b6.当PN结外加正向电压时，扩散电流___A______漂移电流。A.大于B.小于C.等与7.工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为：______A___A．Ube＞0，Ubc＜0　　　　　　B．Ube＞0，Ubc＞0　C．Ube＜0，Ubc＜0　　　　　　D．Ube＜0，Ubc＞08.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位___B______。A.同相B.反相C.相差90

3、度D.不确定9.在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的13相位___A______。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定10.能放大电压，也能放大电流的是___A______组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定11.在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_______A__。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定12.可以放大电压，但不能放大电流的是______C___组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定13.可以放大电流，

4、但不能放大电压的是____B_____组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定14.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_____B____组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定15.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___B______组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定16.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是______C___组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定17.在共射、共集和共基三种基本放大电

5、路组态中，输出电阻最小的是_____B____组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定1318.多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都_____D____。A.大B.小C.宽D.窄19.多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_____B____。A.大B.小C.宽D.窄20.多级放大电路的级数愈多则高频附加相移____A_____。A.大B.小C.宽D.窄21.场效应管是利用外加电压产生的____B_____来控制漏极电流的大小的。A.电流B.电场C.电压22.场效应管是_

6、____C____器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流23.三极管是______D___器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流24.结型场效应管利用删源极间所加的___A______来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流25.场效应管漏极电流由_____C____的漂移运动形成。A.少子B.电子C.多子D.两种载流子26.P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为____A_____。A.正值B.负值C.vG

7、S D.零27.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为____B_____。A.正值B.负值C.零28.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为______A___。A.正值B.负值C.零1329.所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，____D_____。A. 晶体管上得到的最大功率B.电源提供的最大功率C.负载上获得的最大直流功率D．负载上获得的最大交流功率30.所谓效率是指_____D____。A.输出功率与输入功率之比B.输出功率与晶体管上消耗

8、的功率之比C.输出功率与电源提供的功率之比D.最大不失真输出功率与电源提供的功率之比31.甲类功放效率低是因为_____B____。A.只有一个功放管B.静态电流过大C.管压降过大32.功放电路的效率主要与______C___有关。A.电源供给的直流功率B.电路输出信号最大功率C.电路的工作状态33.在甲类放大电路中，放大管的导通角等于_____B____。A.180B.360C.27034.在乙类放大电路中，放大管的导通角等于_____A____。A.180B.360C.2703