半导体集成电路资料

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1、《半导体集成电路》课程教学课程总体介绍：1．教材：选用上海科技出版社出版的，由电子工业部教材办公室组织编写的高等学校教材《半导体集成电路》一书。该教材参考教学学时为120学时。2．目前实际教学学时数：课内66+实验6，共计72学时。3．教学内容：(按72学时删减)第一篇双极型逻辑集成电路26学时第一章集成电路的寄生效应（含序论）7学时第二章TTL集成电路12学时第三章TTL中大规模集成电路3学时第四章TTL电路版图设计4学时第二篇MOS逻辑集成电路26学时有关MOS管+前言3学时第六章nMOS逻辑集成电路9学时第七章CMOS集成电路8学时第八章动

2、态,准静态MOS电路简介2学时第九章MOS集成电路版图设计4学时第三篇模拟集成电路20学时第十一章模拟集成电路中的特殊元件8学时第十二章模拟集成电路中的基本单元9学时第十三章集成运算放大器简介3学时课程教案:序言1学时内容:1集成电路1.1集成电路定义1.2集成电路特点1.3集成电路分类2半导体集成电路2.1半导体集成电路分类2.2有关半导体集成电路的集成度2.3半导体集成电路的优缺点3课程内容介绍及参考书课程重点：介绍了何谓集成电路，集成电路是如何分类的（即可分为膜集成电路.半导体集成电路和混合集成电路），集成电路有何特点；介绍了何谓半导体集成

3、电路，半导体集成电路的分类（即按照电路中晶体管的导电载流子状况分类，可分为双极型集成电路和单极型集成电路两种；按照电路工作性质分类，可分为数字集成电路和模拟集成电路两种），半导体集成电路的重要概念-集成度，以及半导体集成电路的优点（即体积小重量轻；技术指标先进可靠性高以及便于大批量生产和成本低等）。最后给出了课程总体内容介绍，并给出了有关参考书。41课程难点：有关半导体集成电路的定义，不同方法的分类；有关半导体集成电路集成度的两种定义方法，以及半导体集成电路的最突出的优点。基本概念：1集成电路-将某一电路所需的若干元器件（晶体管；二极管；电阻和电

4、容）均制作于一个（或几个）基片上，通过布线连接构成的完整电路。2膜集成电路-由金属和金属合金薄膜以及半导体薄膜制成元器件，布线连接构成的集成电路。3半导体集成电路-以半导体（硅）单晶为基片，以外延平面工艺为基础工艺，将构成电路的各元器件制作于同一基片上，布线连接构成的功能电路。4混合集成电路（组合集成电路）-由半导体集成电路，膜集成电路和分离元件中至少两种构成的集成电路。5双极型集成电路-由一般平面双极晶体管构成的集成电路，其载流子为电子和空穴。6单极型集成电路（MOS集成电路）-由MOS场效应管构成的集成电路，其导电载流子仅有电子（或空穴）一种

5、。7数字集成电路-处理数字量信号的集成电路。数字量指以某一最小单元作不连续变化的量。8模拟集成电路-处理模拟量信号的集成电路。模拟量指能够连续变化的量。9集成电路的集成度-单位面积芯片上最多可容纳的元器件个数。单位；元器件个数/平方毫米。10集成电路的规模-以单个芯片上最多可容纳的元器件个数为划分依据。单位；元器件个数/单芯片。基本要求：掌握集成电路的定义及分类；半导体集成电路的定义及分类；了解半导体集成电路的应用场合；知道以规模定义的半导体集成电路的集成度以及集成度定义的扩展。课程参考书目及要求：对双极型部分：1器件原理部分：书目：《半导体物理

6、》已开过课程；《晶体管原理》与本课程同期开课；《半导体器件物理》同名书目。要求：熟悉晶体管单结特性及相关公式；熟悉晶体管双结特性及部分相关公式；熟悉晶体管瞬态（频率）特性。2工艺原理部分：书目：《半导体器件工艺原理》77年统编教材；《超大规模集成电路技术基础》99年由电子工业出版社出版；《集成电路制造技术》与本课程同期开课。要求：熟悉pn结形成的工艺原理及平面结工艺结构；熟悉pn结形成时的工艺影响因素；熟悉常规集成电路工艺剖面结构以及各电性区的作用，集成电路制造带来的各种寄生。3电路及集成电路构成基础知识部分：书目：《电子技术基础》已开过课程；《

7、数字集成电路》已开过课程；《模拟集成电路》已开过课程。要求：熟悉各种门电路的基本线路构成；熟悉构成各种门电路的各种基本元器件；熟悉各种门电路的基本工作原理；熟悉各种门电路的组合；熟悉各种二进制规则及逻辑关系的变换。MOS集成电路部分：书目：〈晶体管原理〉第八章场效应晶体管；〈单极型晶体管〉。要求：熟悉MOS晶体管结构；熟悉MOS晶体管工作原理；熟悉MOS晶体管类型及不同工作条件下的特性；熟悉MOS晶体管各种电流-电压关系式。第一篇双极型逻辑集成电路《26学时》41第一章集成电路的寄生效应(6学时)§1.1集成电路的特殊工艺及结构1学时内容:1典型

8、pn结隔离工艺1.1pn结隔离工艺的工艺流程1.2典型pn结隔离的实现及埋层作用1.3pn结隔离结构形成的说明2介质隔离工艺2.1介质隔