dy-4四探针测试仪

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1、DY-4四探针测试仪 SDY-4型四探针测试仪产品概述  SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ-710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，并能实现晶片厚度自行修正，打印出全部预置和测量、计算数据。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。SDY4四探针测

2、试仪本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。技术指标1测量范围:电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展);　　　　　 方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展);2可测晶片直径(最大):100mm(配J-2B型手动测试台)　　　　　　　　　　200mm(配J-51型手动测试台)3恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差<±0.3%4数字电压表:           

3、 量程:0-199.99mV;分辨率:10μV            显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。            输入阻抗>1000MΩ;精度:±0.1%.5最大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.6四探针探头:            间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%            探针压力:TZT-9A/9B:12-16牛顿(总力)TZT-9C/

4、9D5-8牛顿(总力)7整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5%(0.01-180Ω.cm)8外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm；数据处理器：300mm×210mm×105mm9数据处理器功能:      A键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正;      B键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值最大百分变化及平均百分变化;      C键盘控制打印全部测量数据.测量条件、最大电阻率值、最

5、小电阻率值、电阻率最大百分变化及平均百分变化。10仪器重量：电气主机：约4kg；测试台：约10kg，数据处理器：约2.5kg11测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。  XJ4822/B型CRT读出半导体管特性图示仪XJ4822/B型CRT读出半导体管特性图示仪产品概述        XJ4822CRT读出图示仪，外观新颖，技术先进，操作方便，能对各类二极管、三极管、场效应管等静态参数测试。光标测量数字读出给用户带来方便，二簇曲线显示对器件各类参数配对尤为方便。测试大功

6、率器件时，可采用单次方式。配3KV测试台后Vc可达3KV。·光标测量，字符读出，使各种静态参数包装β、Gm均可光标测量字符读出。·双族显示用于对各种参数配对·最大测试功率近100W·阶梯电压±10V＋△VB±5V内阻低特别适宜大功VMOS管测试·最大VC达3000V（选购件）·过流报警断电 主要技术指标集电极电流范围（IC）10μA/div～1A/div按1、2、5进制分16档二极管电流范围（IR）0.2μA/div～5μA/div按1、2、5进制分5档                    IC、

7、IR倍率×0.1集电极电压范围（VC）0.05V/div～50V/div按1、2、5进制分10档基极电压范围（VB）0.05V/div～1V/div按1、2、5进制分5档二极管电压范围（VR）100V/div～500V/div按1、2、5进制分3档阶梯电流范围（IB）0.02μA/step～50mA/step按1、2、5进制分16档阶梯电压范围（VB）0.05V/step～1V/step按1、2、5进制分5档集电极电压档级 0～10V、0～50V、0～100V、0～500V每档连续可调功耗限止电阻 

8、0～500k按1、2、5进制分11档±10%CRT字符读出  垂直Y：显示A/div(IC、IR)水   平   X： 显示A/div(VC、VR、VBE)阶   梯   S： 显示A/step(IBVB)在按键按D状态下，移动游标“+”读出ID、VD在按键按T状态下，移动游标“×”读出β、Gm一般性能使用电源 AC220V/50Hz视在功率 约80VA外形尺寸 240B×360H×590Dmm重   量 约17kg注：XJ4822B无光标测量，字符读出功能，其他性