mos管和igbt的区别1

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1、什么叫MOS管mos管是非金属(metal)—氧化物(oxid)—导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。我们常说的场效应管，场管，MOS管都指的是同一类产品，现在我们焊机上常用的MOS管一般为东芝，富士，IR等厂家生产什么叫IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但

2、驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。我们常见的IGBT又分单管和模块两种，单管的外观和MOS管有点相像，常见生产厂家有富士，仙童等，模块的产品一般内部封装了数个单的IGBT，内部联接成适合的电路，常用的生产厂家有西门子（欧派克，英飞凌），西门康，大卫，三菱，东芝，富士等功率开关管的比较常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中，晶闸管（可控硅）的开关频率最低约1000次/秒左右，一般不适用于高频工作的开关电路。1、效应管的特点：场效应管的突出优点在于其极高的开关

3、频率，其每秒钟可开关50万次以上，耐压一般在500V以上，耐温150℃（管芯），而且导通电阻，管子损耗低，是理想的开关器件，尤其适合在高频电路中作开关器件使用。但是场效应管的工作电流较小，高的约20A低的一般在9A左右，限制了电路中的最大电流，而且由于场效应管的封装形式，使得其引脚的爬电距离（导电体到另一导电体间的表面距离）较小，在环境高压下容易被击穿，使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。2、IGBT的特点：IGBT即双极型绝缘效应管，符号及等效电路图见图，其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以通过大电流（100A以上），而且由于外封装引脚间距大，爬电距

4、离大，能抵御环境高压的影响，安全可靠。图12.1场效应管逆变焊机的特点由于场效应管的突出优点，用场效应管作逆变器的开关器件时，可以把开关频率设计得很高，以提高转换效率和节省成本，使用高频率变压器以减小焊机的体积，使焊机向小型化，微型化方便使用。但无论弧焊机还是切割机，它们的工作电流都很大。使用一个场效应管满足不了焊机对电流的需求，一般采用多只并联的形式来提高焊机电源的输出电流。这样既增加了成本，又降低了电路的稳定性和可靠性。IGBT焊机的特点IGBT焊机指的是使用IGBT作为逆变器开关器件的弧焊机。由于IGBT的开关频率较低，电流大，焊机使用的主变压器、滤波、储能电容

5、、电抗器等电子器件都较场效应管焊机有很大不同，不但体积增大，各类技术参数也改变了。IGBT焊机工作原理：1、半桥逆变电路工作原理如图12.2图12.2图12.3工作原理：①tl时间：开关K1导通，K2截止，电流方向如图中①，电源给主变T供电，并给电容C2充电。②t2时间：开关K1、K2都截止，负截无电流通过（死区）。③t3时间：开关K1截止，K2导通，电容C2向负载放电。④t4时间：开关K1、K2均截止，又形成死区。如此反复在负载上就得到了如图12.3的电流，实现了逆变的目的。2、IGBT焊机的工作原理①电源供给：和场效应管作逆变开关的焊机一样，焊机电源由市电供给，经

6、整流、滤波后供给逆变器。②逆变：由于IGBT的工作电流大，可采用半桥逆变的形式，以IGBT作为开关，其开通与关闭由驱动信号控制。③驱动信号的产生：驱动信号仍然采用处理脉宽调制器输出信号的形式。使得两路驱动信号的相位错开（有死区），以防止两个开关管同时导通而产生过大电流损坏开关管。驱动信号的中点同样下沉一定幅度，以防干扰使开关管误导通。①保护电路：IGBT焊机也设置了过流、过压、过热保护等，有些机型也有截流，以保证焊机及人身安全，其工作原理与场效应管焊机相似。