《电子技术基础》复习题(模拟)

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1、一、填空题：1—1—1半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。1—1—2利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。1—1—3在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。1—1—4半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。1—1—5使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。正偏时

2、PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。1—1—7反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。1—1—9整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流和最高反向工作电压。1—1—10在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的开启电压(死区电压)约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.3V。1—1—11理想二极管正向导通时，其压降为0V,反向截止时，其中电流为0A。这两种状态相当于一个开关。1—1

3、—12稳压二极管工作时，其反向电流必须在范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。1—1—13发光二极管内部PN结，当外加适当的正向电压时，N区的自由电子和P区的空穴在扩散过程中复合，释放的能量以光的形式表现出来。1—1—14发光二极管按其发光效率的高低可分为超高亮度型高亮度型和普通型。1—1—15用万用表及R×100Ω或R×1K档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正)极，红表笔接的是二极管阴（负）极。1—1—16三极管具有电流放大作用的工艺措施是：发射区中掺杂浓度高，集电结的面积大，基区很薄。1—1—17三极管具有

4、电流放大作用的外部条件是发射结正偏和集电结反偏。1—1—18三极管的电流放大作用是用较小的基极电流控制较大的集电极电流，所以三极管是一种电流控制元件。1—1—19双极型晶体管从结构上看可以分成PNP和NPN两种类型，它们工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电。1—1—21某三极管的极限参数。若它工作时电压，则工作电流不得超过15mA；若工作电压，则工作电流不得超过100mA；若工作电流＝lmA，则工作电压不得超过30V。1—1—22三极管穿透电流是集一基反向饱和电流的1+β倍。在选用管子时，一般希望尽量小。l—1—23场效应管从结构上看可以分成结型和绝缘

5、栅型两大类型，它们的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动。从这一点看它又称为单极型晶体管。1—1－26场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻大很多，所以输入电流近似为零。2—1—1放大电路的静态工作点设置不当，会引起截止或饱和失真。2—1—2与放大电路静态工作点相对应的电量是IB、IC和UCE．三个量。2—1—3放大器的静态是指UI=0时的工作状态，动态是指UI≠0的工作状态。2—1—4画放大器直流通路时，电容视为开路，画交流通路时，耦合电容、旁路电容和直流电源视为短路。2—1—6放大电路中，静态工作点设置太低易产生截止失真；设置太高易产生饱和失真。当输

6、入信号很微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置的低一点。2—1—7实践中，通常是调整偏置电阻，达到调整静态工作点的目的。2—1—10造成电路静态工作不稳定的因素有很多，其中温度变化的影响最大。2—1—12射极输出器的特点是：电压放大倍数大于1，输入电阻大，输出电阻小，输出电压和输入电压相同。2—1—13单管共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位差1800,所以该电路有反相的作用。3—1—1变化缓慢的电信号称为直流信号，这种信号须用直流放大器放大。3—1—2放大器输入端短路时，输出端有变化缓慢的、并且偏离起始值上下漂动电压的现象，称为零点漂移。3—1—3产

7、生零点漂移的原因很多，其中最主要的原因是温度的影响。3—1—6两个极性相反、幅值相同的信号称为差摸信号。3—1—7放大器输入差模信号时的放大倍数称为差摸放大倍数。3—1—8两个极性、幅值均相同的信号称为共摸信号。3—1—12运算放大器采用的是直接耦合方式，其低频性能好。3—1—13运算放大器输入级采用差动放大器的目的是为了克服零点漂移和获得三种输入方式。3—1—14运算放大器的两个输入端分别为反相输入端和同相输入端，前者的极性和输出端极性相反；后者的极性和输出端极性相同。3—1—15运算放大器的输入方式有反相输入、同相输入和差动输入。5—1—1小功率直流稳

8、压电源一般由电源变压器、整流、滤波和稳压电路四部分组成。5—1—2