静电感应晶体管的设计与制造技术

《静电感应晶体管的设计与制造技术》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、静电感应晶体管的设计与制造技术兰州大学硕士学位论文静电感应晶体管的设计与制造技术姓名：任国栋申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李思渊20050501摘要静电感应晶体管SID是一种独特的电力电子器件。它的设计和制造集电力电子器件技术与微电子技术与一身。它具有输出功率大、失真小、输入阻抗高、开关特性好和抗辐射能力强等一系列优点。本论文分析了SIT的作用机理和它的类三极管I．v特性。SIT对材料参数和结构参数非常敏感，表现为沟道势垒的建立对各种参数的依赖性。论文设计了3伽／jD∞y埋栅型SIT的版图，并以复合结构SIT验证了版图设

2、计的合理性。论文第四章详细阐述了关键制造技术，尤其是外延、刻台和挖槽技术，讨论了一步外延的可行性。第五章对器件特性类三极管特性／类五极管特性的转变以及栅源击穿电压的提高提出了控制与调节的方法，完成了提高栅源击穿电压与保持I―V特性统一性的课题。AbstractThestaticinductiontransistorisauniqueelectronicdevice．It’Sandpowerdesignmanufacturetheisresultofofelectronicdevicestechnologysyncretismpowerandmi

3、croelectronicdevicesaretechnologytechnology．Thecharacterizedby：hi曲distortion，highandoutput‘power,lowinput―resistance，goodswitch―capabilitygoodanti-radiation，etc．Theandthetriode??likeI-VtheorycharacteristicoftheSITisinphysicsanalyzedtheissensitivetOmaterialandstructureandthep

4、aper．SITveryparameterparameterestablishmentofthebarrierinthepotentialchannelisrelmedtotheseparameters；Themaskoftheand30A／1000VSITisinthephotolithograhyburied―gatedesignedpaperisvalidatedtheCGSSIT．Themanufacturebykeytechnology,especialepitaxyandindetaileddiscussedintheforthit

5、isetching―tabletrenching，ischapter．AndtheI-Vthattheisfeasible．Themethodisofferedwhichone―stepprovedepitaxybyandthebetweentriode―-likeandiscontrolledcharacteristictransformationpentode??-likebreakdownbetweentheandtheSOUrceisvoltagegateheightenedthroul曲thefulfilledhowtOtheinth

6、efifththeisprojectunifyadjustmentchapter．Andparameterbetweentheandthesourceandthetriode―likeI-VbreakdownhighervoltagegatecharacteristicofthedeviceY731905原创性声明本人郑重声明；本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下独立进行研究所取得的成果。学位论文中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。除文中已经注明引用的内容外，不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。

7、对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体，均己在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名：逢!訇』垒I_l期：丝』：[型麓簦t鬻i韶关于学位论文使用授权的声明本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属兰州大学。本人完全了解兰州大学有关保存、使用学位论文的规定，同意学校保存或向国家有关部门或机构送交论文的纸质版和电子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权兰州大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用任何复制手段保存和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该论文直接相关的学术论文或

8、成果时，第一署名单位仍然为兰州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。论文作者签名：健!訇整导师签名Et期谤础‘第一章引言第一章引言电力电子技术是以电力为