双向可控硅选型表

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时间:2018-07-29

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1、双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取前三个字母)交流半导体开关:AC-semiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”,或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。另:双 向:Bi-directional(取第一个字母)控 制:Controlled    (取第一个字母)整流器:Rectifier    (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”,中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱,如

2、:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。--------------双 向:Bi-directional(取第一个字母)三 端:Triode        (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅.代表型号如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅;Philips公司的产品型号前缀为“

3、BTA”字头的,通常是指三象限的双向可控硅。三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。-------------------而意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号,并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。组成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:四象限、绝缘型、双向可控硅:BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等;四象限、非绝缘、双向可控硅:BTB06-600C、BTB08-600

4、C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型号后缀字母的触发电流,各个厂家的代表含义如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型号没有后缀字母之触发电流,通常为25-35mA;PHILIPS

5、公司的触发电流代表字母没有统一的定义,以产品的封装不同而不同。意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上触发电流均有一个上下起始误差范围,产品PDF文件中均有详细说明,一般分为最小值/典型值/最大值,而非“=”一个参数值。对于产品类别、品种系列的名词国际上通用的命名有:  单向可控硅:SCRs  (SCR)  双向可控硅:TRIACs(Triac)      晶闸管:Thyristor      闸流管:Thyratron晶闸管电动机:Thyrist

6、ormotor  光控晶闸管:Photo-thyristor  快速晶闸管:Fastswitchingthyristor  双向晶闸管:Bi-directionalthyristor  逆导晶闸管:Reverseconductingthyristor  逆阻晶闸管:Reverseblockingthyristor可关断晶闸管:Turn-offthyristor可关断晶闸管门极驱动电路:Gateturnoffthyristorgatedrivecircuit--------------------------------------------原MO

7、TOROLA,现安森美ON半导体的代表产品MAC97A4:TO-92,0.8A,200V,IGT<5mAMAC97A6:TO-92,0.8A,400V,IGT<5mAMAC97A8:TO-92,0.8A,600V,IGT<5mATRIACs-四象限-非绝缘型-双向可控硅PHILIPS(飞利浦)公司常见的产品型号-----------------------------------器件型号  封装电流电压触发电流BT131-600:TO-92,1A,600V,IGT<25mABT131-600D:TO-92,1A,600V,IGT<5mABT131-

8、600E:TO-92,1A,600V,IGT<10mABT134-600D:SOT82,4A,600V,IGT<5mABT

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