@无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

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1、本文由m08p7bfxky贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。第1卷2第4期 固体电子学研究与进展 REESARCH&PROGRESOFSES  S VoI2.No.4.1 i992年1月1 Nov..1992 ‘暑l州。  @无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度 3— b3 褚幼令①王宗欣@ (旦学j 电 复大 亘辱孚丽海,0324)03 19年1月2日收到 9121提蔓用微波光电导谱仪无接触、破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,非推导了由光电导 谱计算多

2、晶硅样品的步子扩散长度和表面复合速度的计算方法,由此算得了样品的步子扩散长 并度和表面复台速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。是一种简便而又准确的测试方法。 这这样 的方法还适用于Gas薄片材料少子扩散长度的测量和计算。A 关键调t昌硅多,一扩散长度一I 少数赣澶子I——微波光电导谱一 无接触 Mesrn iuinLegho irt rirauigDfso nt fMnoiCare yiPoliion n yslcby i UsngConttesMeho acls tdChuYoln uig ̄,WngZo

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6、处产生的载流子对在到达结之前已被复合,以结深 所受到少子扩散长度的制约。太薄的样品又使硅对红光波长的吸收变差。以,提高太阳能 但所为电池的换能效率,材料中的少子扩散长度是一个重要参数。由于多晶硅是一种制造太阳能电池 的廉价材料,要保证有大于l 的效率,了控制它的杂质含量以外,应控制它的晶粒大 而O除还小,为过小的晶粒使单位面积硅片中总的晶粒边界加长,而使光生载流子在边界处的复合 因从增加,导致换能效率的降低。以,所少子扩散长度也是衡量多晶硅制造工艺质量的一个重要参 -罾辜白拣科学基金资助项目。 固体电子学研究

7、与进展 l2卷 数。 本工作用微波光电导谱仪无接触测试了多晶硅的微波光电导谱。由于多晶硅的少子扩散 长度比单晶硅要短得多,文献[]谱的峰值位置,后,图表中求少子扩散长度的方法误 用1取然从差较大,因此,对多晶硅(类似的样品,GA等)导了另一种计算方法。针及如as推实验及计算结 果表明,这种方法比较合理。由于采用了无接触法,样品的表面质量无要求,又对因此,测量 在前对表面不必进行特定处理 测试面积仅是直径31r的圆斑,品又可以在测试台上自由 因 IiTE样移动,因此,本方法可以测量同一样品上各区域少子扩散长度的

8、差异。 二、测试方法 若样品是n的多晶硅片,图1型如所示,当它受到一束单色光和微波同时照射时,样品内在 都由于吸收了光子能量而产生新的电子一穴对,达到动态平衡后,品内部的非平衡载流 空在样子浓度分布却()足一维稳态扩散方程; 满 (DdA z,2 ̄)—一生生;一叼(一r,-() 1)t 1ie b tt-i =其中I是入射光强,量子效率,样品表 o日是 是面的光反射系数,-少子扩散系数,b少 D是"

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