zno纳米线阵列pvk二极管光电特性研究

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------ZnO纳米线阵列PVK二极管光电特性研究毕业设计题目学生姓名所在院(系专业班级指导教师完成地点2016年5月ZnO纳米线阵列/PVK二极管光电特性研究何龙旺（陕西理工学院物理与电信工程学院电子信息科学与技术专业电信1203班，陕西汉中723000）指导教师：袁兆林[摘要]为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管，采用水热方法，低温下，在氧化铟锡(ITO)涂覆的玻璃基底上生长出良好取向

2、排列的氧化锌(ZnO)纳米线阵列，然后在生长的氧化锌(ZnO)纳米线阵列上旋涂p型聚乙烯咔唑(PVK)层，形成结构为ITO/ZnO/PVK/Ag的光电二极管。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)分别表征制备的ZnO纳米线阵列的形貌、晶相结构。测试结果表明：ZnO纳米线形成致密良好取向排列阵列，纳米线的直径为20～30nm，长度在200～300nm，具有六方纤锌矿结构。进一步，系统研究了此光电二极管在暗态和太阳光模拟器的——————————————————————————————————————---------------------------

3、---------------------------------------------------------------------光照下的电流-电压（I-V）特性。结果显示：该器件在暗态和光照下都表现出良好的二极管特性，在暗态和光照下的整流率分别为352和160。[关键词]ZnO纳米线阵列；水热法；光电二极管；整流率PhotoelectriccharacteristicsoftheZnOnanowirearray/PVKdiodeHeLong-wang(Grade12,Class3,MajorElectronicInformationScienceandTechn

4、ology,PhysicsDept.,ShaanxiUniversityofTechnology,Hanzhong723000,Shaanxi）Tutor:YuanZhao-linAbstract:Inordertodeveloplow-cost,large-areaandhigh-qualityphotodiodes,inthispaper,well-alignedZnOnanowirearraysweregrownonindiumtinoxide(ITO)-coatedglasssubstratesbyhydrothermaltechniqueatlowtempera

5、ture.AphotodiodewithastructureofITO/ZnO/PVK/AgwasfabricatedusingZnOandPVK.Themorphologiesandcrystallinestructureofas-grownZnOnanowirearrayswereinvestigatedbyfield-emissionscanning-electronmicroscopy(FESEM)andX-raydiffraction(XRD),respectively.TheresultsofthesemeasurementsshowedtheZnOnanow

6、irearrayscontaineddenselypacked,alignednanowireswithdiametersfrom20to30nm,lengthsfrom200to300nmandawurtzitestructure.Moreover,the——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------current-voltage(I-V)charac

7、teristicsofthephotodiodeindarkandunderilluminationwithasolarsimulatorareinvestigatedindetail.Theresultsexhibitedthatthedeviceshowsgooddiodecharacteristicsindarkandillumination,therectificationratios(RR)ofthedeviceinthedarkandunderilluminationwere352and160,respective