黄光制程工艺流程

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1、1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3.前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层4.曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。7、蚀刻指用

2、适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO电极图形。8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥1.PR前清洗A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键）B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响

3、，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C.十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n.KOH溶度

4、为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。A.光刻胶

5、的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能溶解的固态物质微粒滤除，我们一般采用自然沉淀法进行过滤。B.涂层为保证ITO层与光刻胶之间有良好的接触和粘附，清洗后

6、的玻璃应立即送光刻工序进行涂胶。如果玻璃搁置较久或者光刻返工，必须重洗在涂胶。涂胶要求，粘附良好，均匀厚薄适当。若胶膜太薄，针孔较多，则抗蚀能力差，胶膜太厚，则分辨率低。涂胶方法采用旋转及车混涂法。为保证胶膜质量，涂胶应在洁净无尘操作箱内进行。涂胶机内温度应保持在20℃~25℃范围内，相对温度低于60%，涂胶要在黄灯照射条件下进行，以防止光刻胶露光失效C．前烘前烘的方法是在恒温的干燥箱中烘烤，具体情况视胶的种类和性质而定。影响前烘质量的主要因素是温度和时间，烘烤不足（温度过低或时间太短），在胶膜与ITO交界面处，胶

7、中的溶剂未充分挥发，曝光后形成浮胶或使图形变形。烘烤过头（温度太高或时间太长），会导致胶膜翘曲硬化，形成不易溶于显影液中的薄膜而留下来，显影不干净或胶面发皱，发黑，失去抗蚀能力。D．PR涂胶机机台参数设定滚轮传速与涂布轮传速为218±5转1分，干燥机传速为4.0±2m/min光刻胶米方度为30±2mpa.s,光刻胶压入量为0.5±0.1mm.（光刻胶只能四收5次使用）光阻剂：稀释剂=10:1（依粘度测试情况而定）.注：涂布不良(涂布气泡、涂布不均匀)之改善对策，调态涂胶滴管内光刻胶滴入量。3.曝光目前曝光方法采用接

8、触式曝光，因此方法所用设备简单，操作方便，它包括“定位”和“曝光两个步聚。定位对光刻精度影响很大，是光刻中十分重要的一环，要认真对准。一般操作程序是：光预热紫外光（UV）灯，待光源稳定后，把菲林安装在支架上；将涂有光刻胶的ITO玻璃放在平台上，胶面朝上，将光刻菲林支架放下，仔细调态平台微动装置，使菲林上定位标志与平台上玻璃的定位准确套合。定位完成即可曝光，曝