实验室玻璃仪器清洗 实验室玻璃仪器清洗技术

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2、验室玻璃仪器清洗实验室玻璃仪器清洗技术35实验室玻璃仪器清洗实验室玻璃仪器清洗技术35实验室玻璃仪器清洗实验室玻璃仪器清洗技术35半导体硅片的化学清洗技术作者站内联系发布一硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥颗粒，利用兆声波可去除≥μ颗粒。μ金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。另一类是带

3、正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。用无害的小直径强正离子（如属离子，使之溶解于清洗液中。用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自年美国实验室提出的浸泡式化学清洗工艺得到了广泛应用，年）来替代吸附在硅片表面的金实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以开发出来，例如：⑴美国⑵35美国原公司推出离心喷淋式化学清洗技术。公司推出的清洗理论为基础的各种清洗技术不断被封闭式溢流型清

4、洗技术。⑶美国清洗系统）。⑷美国公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例公司的双面檫洗技术（例清洗系统）。⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹35以目前常用是为基础的硅片化学清洗技术。作强氧化剂，选用和作为的来源用于清除金属离子。的强氧化和的溶解作用，使的碱性溶液，通过有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化、、、、、、、、等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用是液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去

5、除某些金属沾污。和的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成的可溶性络合物亦作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与随去离子水冲洗而被去除。在使用二液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。清洗技术传统的清洗工序：清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统→→清洗去除颗粒：⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵去除颗粒的原理：硅片表面由于氧化作用生成氧化膜（约呈亲水性），该氧化膜又被腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。①自然氧化膜约度无关。②③的腐蚀

6、速度，随的腐蚀速度，随厚，其与、浓度及清洗液温的浓度升高而加快，其与的浓度无关。浓度越的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，高这一值越小。④⑤若促进腐蚀，的浓度一定，阻碍腐蚀。浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低浓度可抑制颗粒的去除率的下降。⑥35随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。⑧超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除≥的加速度作用，能去除≥μμ颗粒。兆声清洗时，由于℃也能得到与℃超声清洗颗粒，即使液温下降到去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。⑨在

7、清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。⑶去除金属杂质的原理：①由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。②由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：、、③上。④35实验结果：据报道如表面洗后，三种硅片浓度分别是浓度均变成、原子、原子三种硅片放在污染的液中清、、、的氢氧化物在高等便易附着在自然氧化膜上。而