山东大学半导体物理辅导教案

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1、山东大学信息科学与工程学院《半导体物理》课程辅导教案信息科学与工程学院郝修田2002年8月20日84关于教案的几点说明：1、教案的基本内容：包括课程的课程重点、课程难点、基本概念、基本要求、参考资料、思考题和自测题、教学进度及学时分配。2、计划学时：本专业有两个专业方向，光电子技术方向72学时，微电子技术90学时。3、教学内容：根据光电子、微电子两个专业方向后续课程的需要及参加研究生入学资格考试应掌握的基本知识，两个专业方向的教学内容及学时分配有所不同，第一章至第七章及第十二章，微电子用75学时，光电子用60学时。第八章

2、微电子15学时，第九、十章光电子12学时。4、教材：采用高等学校工科电子类（电子信息类）规划教材《半导体物理学》，由刘思科、朱秉升、罗晋生等编写。本教材多次获奖，如全国高等学校优秀教材奖、电子类专业优秀教材特等奖、普通高等学校教材全国特等奖。5、参考资料（书目）叶良修（北大）《半导体物理学》刘文明（吉大）《半导体物理学》顾祖毅（清华）《半导体物理学》格罗夫（美）A.S.Grove《半导体器件物理与工艺》王家骅（南开）《半导体器件物理》施敏（Sze.S.M美）《半导体器件物理》施敏（Sze.S.M美）《现代半导体器件物理》

3、6、学时分配第一章半导体中的电子状态光14学时微14学时第二章半导体中杂质和缺陷能级光4学时微5学时第三章半导体中载流子的统计分布光10学时微12学时第四章半导体的导电性（载流子的输运现象）光6学时微9学时第五章非平衡载流子光10学时微13学时第六章p－n结光7学时微10学时第七章金属和半导体接触光6学时微8学时第八章半导体表面和MIS结构微15学时第九章异质结光4学时第十章半导体的光学性质和光电与发光现象光8学时第十二章半导体的霍耳效应光3学时微4学时7、教学进度计划表内容学时微电子光电子第一章半导体中的电子状态141

4、4§1.1晶体结构预备知识、半导体晶体结构22§1.2半导体中的电子状态22§1.3电子在周期场中的运动——能带论22§1.4半导体中电子（在外力下）的运动、有效质量、空穴11§1.5半导体的导电机构11§1.6回旋共振22§1.7硅和锗的能带结构2284§1.8化合物半导体的能带结构22第二章半导体中杂质和缺陷能级54§2.1硅、锗晶体中的杂质能级22§2.2化合物半导体中的杂质能级21.5§2.3半导体中的缺陷能级（defectlevels）10.5第三章半导体中热平衡载流子的统计分布1210§3.1载流子的统计分布

5、函数及能量状态密度22§3.2导带电子浓度和价带空穴浓度2.52.5§3.3本征半导体的载流子浓度22§3.4杂质半导体的载流子浓度2.52§3.5一般情况下地载流子统计分布21§3.6简并半导体10.5第四章半导体的导电性96§4.1载流子的漂移运动、迁移率11§4.2载流子的散射1.51.5§4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系1.51.5§4.4电阻率及其与杂质浓度的关系11§4.6强电场效应、热载流子2.51§4.7耿氏效应、多能谷散射0.50第五章非平衡载流子1310§5.1非平衡载流子的注入0.50.5§5.2

6、非平衡载流子的复合和寿命11§5.3准费米能级0.50.5§5.4复合理论43§5.5陷阱效应11§5.6载流子的扩散运动21§5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系11§5.8连续性方程及其应用32第六章p–n结107§6.1p–n结及其能带图22§6.2p–n结电流电压特性43§6.3p–n结电容20.5§6.4p–n结击穿10.3§6.5(*)p–n结隧道效应10.2第七章金属和半导体接触86§7.1金属半导体接触及其能带图22§7.2金属半导体接触整流理论（阻挡层的整流理论）43§7.3少数载流子的注入和欧姆接触2

7、1第八章半导体表面与MIS结构150§8.1表面态20§8.2表面空间电荷层的性质（表面电场效应）40§8.3MIS结构的电容–电压特性30§8.4硅–二氧化硅系统的性质3084§8.5表面电导及迁移率20§8.6表面电场对p–n结的影响10第九章异质结04§9.1异质结种类及其能带图01.5§9.2异质结的电流输运机构（伏安特性）02§9.3异质结在器件中的应用00.5第十章半导体德光学性质和光电与发光现象08§10.1半导体的光学常数01§10.2半导体的光吸收机构02§10.3半导体的光电导（率）02§10.4半导

8、体的光生伏特效应01§10.5半导体发光01§10.6半导体激光01第十二章半导体磁和压阻效应43§12.1半导体的霍耳效应（Hall）4384辅导教案第一章半导体中的电子状态（光14学时微14学时）§1.1晶体结构预备知识，半导体晶体结构本节内容：1.晶体结构的描述（有关的名词）格点：空间（一维或多维）点阵中的点（