介质损耗角正切值的测量

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1、介质损耗角正切值的测量基本原理电介质在电场作用下产生能量。P=U2ωCtgσ当外加电压及频率一定时，电介质的损耗P与tgσ及C成正比；而对于一定结构的试品来说，C为定值，故可直接由tgσ的大小来判断试品绝缘的优劣。测量tgδ值是判断电气设备绝缘状态的一项灵敏有效的方法。介质损失角正切值tgδ的测量CXRx当电气设备绝缘整体性能下降，如普遍受潮、脏污或老化，以及绝缘中有间隙发生局部放电时，流过绝缘的有功电流分量IRx将增大，tgδ也增大.通过测量tgδ值可以发现绝缘的分布性缺陷.若缺陷部分在整个绝缘中的体积较大，则测量

2、tg容易发现绝缘的缺陷。如果绝缘缺陷是集中性的（非贯穿性的），或缺陷部分在整个绝缘中占很小的体积，则该方法不很有效.用于对套管、电力变压器、互感器和某些电容器的测量.试验方法仪器：西林电桥或介质损耗测量仪西林电桥电桥的四个臂：CN—标准电容器ZX—被试品C4—可调电容R3—可调电阻试验接线正接法：被试品两端对地绝缘，实验室采用，安全。反接法：被试品一端固定接地，一般现场试验采用，为了保证安全，使用绝缘杆操作。西林电桥测量法的基本原理图中Cx，Rx为被测试样的等效并联电容与电阻，R3、R4表示电阻比例臂，Cn为平衡试

3、样电容Cx的标准，C4为平衡损耗角正切的可变电容。根据电容平衡原理：解所得方程式，得：式中Zx、Zn、Z3、Z4分别是电桥的试样阻抗，标准电容器阻抗以及桥臂Z3和Z4的阻抗为了读数方便，取C4以µF计，则C4的读数就为tanσ的值。测量电容量Cx有时对于判断其绝缘状况也是有价值的。对于电容型套管，如果Cx明显增加，常表示内部电容层间有短路现象或有水分侵入。试验的步骤1、将试品对地充分放电，试品表面擦拭干净。2、根据试验条件确定采用正接线或反接线。3、按图正确接线，高压试验线须从垂直方向拉出，使其对试品的分布电容最小，

4、并且须用粗导线防止电晕，保护接地应牢固可靠。4、检查接线确保正确，检查微安表指零，将R3，tanσ调零，灵敏度档位及调压器置零位，根据试品容量选择分流器于正确档位。分流器位置0.01A0.025A0.06A0.15A1025A试品名称套管，绝缘子，电流互感器电流互感器，小容量变压器大变压器，小型电机中型电机，短电缆大型电机，长电缆10kV试品电容范围30-30003000-80008000-1940019400-4800048000-400000分流器档可按下表选择：5、确定试验电压：Ue≥10kV,Us=10kV;

5、Ue＜10kV,Us=Ue6、均匀升压至试验电压，tanσ调至Ⅰ档，逐渐增大灵敏档（最后增至6-9档），与此同时调节R3，直至微安表不再减小，然后调节tanσ（从大倍率到小倍率），使微安表逐渐趋于零。如需要，最后调节微调电阻，使微安表指示为零。7、将电压降至零，切断电源。记录数据，各旋钮复零。8、tanσ调至Ⅱ档，重复6、7。影响tgδ测量结果的因素1、温度的影响一般绝缘的tgδ值均随温度的上升而增加。一般来说，对各种被试品，不同温度下tgδ的值是不可能通过通常的换算式获得准确的换算的，应尽量争取在差不多的温度条件下

6、测出tgδ值，并以此来作相互比较。通常都以20℃时的作为参考标准，为此，一般要在10~30℃范围内测量。2、试验电压的影响右图试验电压的典型关系曲线1良好的绝缘2绝缘中存在气隙3受潮绝缘3.试品电容量的影响对于电容量较小的试品(例如套管、互感器等)，测量tanδ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品(例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等)测量tanδ只能发现整体分布性缺陷.4.试品表面泄漏的影响试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx并联，显然会影响所测得的tanδ值，这在试品的C

7、x较小时尤需注意.谢谢欣赏！