模拟电子技术(模电)模拟试题

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1、模拟电路复习预习方法：1、掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。2、掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率计算，直流电源的简单计算。3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。习题一、半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度a大于b小于c等于答案：C2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______a温度b材料c掺杂工艺d掺杂浓度答案：B3.在掺杂半导体中

2、，少子的浓度受______的影响很大a温度b掺杂工艺c掺杂浓度答案：C4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______a高b低c不变答案：B5.N型半导体______a带正电b带负电c呈中性答案：C6.温度升高N型半导体的电阻率将______a增大b减小c不变答案：C7.当PN结正向偏置时，耗尽层将______a不变b变宽小于c变窄答案：C8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将a升高b降低c不变答案：b●9.当环境温度升高时，二极管的死区电压将______a升高b降低c不变答案：b10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______a增大b

3、减小c不变答案：a11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数a正b负c零答案：b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______aUD,IFbIF,IScIF,UR答案：c13.理想二极管的主要性能指标为______aUD=0,IR=0,bUD=0.3V，IR=0cUD=0.5V，IR=IS答案：a13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压a截止区b正向导通区c反向击穿区答案：c12.对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将______a升高b降低c不变答案：c13.二极管的反偏电压升高，其结电容

4、______a增大b减小c不变答案：b17.二极管正向偏置时，其结电容主要是______a势垒电容b扩散电容c无法判断答案：b18.锗二极管的死区电压约为______答案：aa0.1Vb0.2Vc0.3V19.硅二极管的完全导通后的管压降约为______a0.3Vb0.5Vc0.7V答案：c20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越______a大b小c不变答案：b22.已知二极管的静态工作点UD和ID，则二极管的静态电阻为______aUD/IDbUT/IDcUD/IS答案：a24.一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=

5、10mA。若UD增大到0.66V，则电流ID约为______a11mAb20mAc100mA答案：c26.在上题图示电路中，若E=8V，当温度为10℃时测得二极管的管压降为UD=0.7V,当温度上升到40℃时，则UD大小为______a=0.7Vb<0.7Vc>0.7V答案：27.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价答案：A，C28.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小答案：A29.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）答案：√30.因为N型半导体的多

6、子是自由电子，所以它带负电。（）答案：×31.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）答案：√32.PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽答案：A33.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。A.ISeUB.C.答案：C34.稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿答案：C图P1.1135.电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。解：波形如解图P1.11所示解图P1.1136.在以下四种整流或滤波电路中，负载

7、时输出电压最低的是（），二极管承受冲击电流最高的是（），承受反向电压最高的是（）；输出电压脉动最小的是（）。A.单相半波整流电路；B.单相桥式整流电路；C.单相半波整流、电容滤波电路；D.单相桥式整流、电容滤波电路答案：acad37.纯净的半导体叫半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫型半导体，它主要靠导电。答案：本征，P（空穴），空穴38.PN结正向偏置是指P区接电源的极、N区接电源的极。这时多子的运动较强，PN结厚度变，结电阻较。答案：正，负，扩散，薄，小39.设二极管D1、D2为理想二极管，判断它们在图1中是导通还是截止？输出电压Uo=.图1答案：D1导

8、通，D2截止，UO=0V40.在本征半