《单片机原理及应用》复习试题整理版

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1、长江大学《单片机原理及应用》试题库一、填空题※001、单片机片内程序存储器按编程方式可分为　ROM型（掩模型）　OTP型（一次性编程）　EPROM（紫外线擦除编程）　EEPROM（电擦除编程）　FLASH（闪速编程）。002、MCS－51的物理地址空间由片内数据存储区　片外数据存储区　片内程序存储区　片外程序存储区四个存储器组成。003、MCS－51系列单片机的存储器，是由三个彼此独立的地址空间来组织的，它们分别为片内数据存储区　片外数据存储区　程序存储区。004、单片机复位时，PC＝0000H，ACC＝00H，PSW＝00H，SP＝07H

2、，P0－P3＝0FFH。005、MCS－51系列单片机的地址总线是16位，数据总线是8位。006、MCS－51系统单片机的数据总线由P0提供，低八位地址总线由P0提供，高八位地址总线由P2提供。007、MCS－51系列单片机的一个机器周期包含12个时钟周期；设晶振频率为6MHz，则时钟周期为0.167微秒，机器周期为2微秒。008、8051型号单片机内部有21个特殊功能寄存器，它们可以分为4组。009、堆栈在片内数据存储区，程序存放在程序存储区，外部IO接口设置片外数据存储区，中断服务程序存入在程序存储区。010、指令MOVC　A，＠A＋D

3、PTR属于变址寻址方式，指令MOV　A，R3属于寄存器寻址方式，指令MOV　C，04H属于直接寻址方式，MOV　30H，＃24H属于直接寻址方式。011、8051型号的单片机内部有11个用户可位寻址单元。012、8031单片机有32个IO线。013、执行下列程序后，CY＝1、OV＝0、A＝94H。MOV　A，＃56HADD　A，＃74HADD　A，A014、设内部RAM中（59H）＝50H，执行一列程序段后，A＝25H、（50H）＝0、（51H）＝25H、（52H）＝70H。MOV　A，59HMOV　R0，AMOV　A，＃00HMOV　＠R

4、0，AMOV　A，＃25HMOV　51H，AMOV　52H，＃70H015、执行下列程序段后，A＝0A7H、R0＝7AH、（R0）＝0A7H。MOV　R0，＃0A7HXCH　A，R0SWAP　A23XCH　A，R0MOV　＠R0，A016、执行下列程序段后，A＝6EH、（30H）＝0EEH、（R0）＝0EEH。MOV　30H，＃0A4HMOV　A，＃0D6HMOV　R0，＃30HMOV　R2，＃47HANL　A，R2ORL　A，＠R0SWAP　ACPL　AXRL　A，＃0FFHORL　30H，A017、下述程序执行后，SP＝42H、A＝30

5、H、B＝30H。ORG　2000HMOV　SP，＃40HMOV　A，＃30HLCALL　2500HADD　A，＃10HMOV　B，AL1：SJMP　L1ORG　2500HMOV　DPTR，＃2009HPUSH　DPLPUSH　DPHRET018、若指令CJNE　＠R1，＃7AH，10H的地址为1800H，则其转移地址为1813H。019、已知：A＝0C9H，B＝8DH，CY＝1，则指令ADDC　A，B执行之后，A＝57H、B＝8DH。020、已知：A＝0C9H，B＝8DH，CY＝1，则指令SUBB　A，B执行之后，A＝3BH、B＝8DH。0

6、21、已知：A＝0C9H，B＝8DH，CY＝1，则指令ADD　A，B执行之后，A＝56H、B＝8DH。022、已知：A＝0C9H，B＝8DH，CY＝1，则指令SUB　A，B执行之后，A＝题错、B＝题错。023、下述程序段执行之后，A＝64H、（50H）＝00H。CLR　AMOV　50H，＃64HL1：INC　ADJNZ　50H，L1※024、执行下列程序段后，内部RAM中的（90H）＝30H、（0A0H）＝0CFH。MOV　P1，＃30HMOV　A，90HCPL　A23MOV　P2，A025、在程序存储器中，数据表格为：1010H：02H1

7、011H：04H1012H：06H1013H：08H执行下列程序之后，A＝02H、R0＝02H、PC＝1004H。1000H：MOV　A，＃0DH1002H：MOVC　A，＠A＋PC1003H：MOV　R0，A026、在程序存储器中，数据表格为：7010H：02H7011H：04H7012H：06H7013H：08H执行下列程序段之后，A＝02H、DPH＝70H、PC＝1009H。1004H：MOV　A，＃10H1006H：MOV　DPTR，＃7000H1008H：MOVC　A，＠A＋DPTR027、已知A中内容为34H，执行下列程序之后，

8、A＝34H、R6＝92H。MOV　R6，＃29HXCH　A，R6SWAP　AXCH　A，R6028、设SP＝60H，内部RAM的（30H）＝24H，（31H）＝10H，在下列程序