al-si电子封装材料粉末冶金法致密性研究

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1、Al-Si电子封装材料粉末冶金法致密性研究Ａｌ—Ｓｉ电子封装材料粉末冶金法致密性研究４５Ａｌ—Ｓｉ电子封装材料粉末冶金法致密性研究ＳｉｎｔｅｒｉｎｇＤｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＡ１一ＳｉＣｏｍｐｏｓｉｔｅｂｙＰｏｗｄｅｒＭｅｔａｌｌｕｒｇｙＭｅｔｈｏｄｆｏｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇ禹胜林１’２，薛松柏１，尹邦跃３，黄薇２（１南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京２１００１６；２南京信息工程大学，南京２１００４４；３中国原子能科学研究院，北京１０２４１３）ＹＵＳｈｅｎｇ—ｌｉｎｌ”，ＸＵＥＳｏｎｇ—ｂａｉ

2、ｌ，ＹＩＮＢａｎｇ－ｙｕｅ３，ＨＵＡＮＧ（１ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＷｅｉ２Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＮａｎｊｉｎｇＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＡｅｒｏｎａｕｔｉｃｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ２１００４４，Ｃｈｉｎａ；３Ｃｈｉｎａ———————————————————————————————————————————————ａｎｄＡｓｔｒｏｎａｕｔｉｃｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１６，Ｃｈｉｎａ；２ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＮａｎｊｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕ

3、ｔｅｏｆＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０２４１３，Ｃｈｉｎａ）摘要：采用粉末冶金方法研究Ａｌ—Ｓｉ复合材料的烧结行为。结果表明：随着Ｓｉ含量从４０％分别增加至５０％，６０％时，Ａ１一ｓｉ复合材料的烧结致密度从９９．７％逐渐降低至９９．ｏ％；随着粉末的中位粒度增大，Ａｌ—Ｓｉ复合材料的烧结密度略有降低，但差别不十分明显；随着烧结温度的提高，材料致密度明显增加，且最合适的烧结温度在５５０～６００℃之间；随着烧结压力的提高，ＡＩ５０Ｓｉ复合材料致密度明显增加，这是因为烧结压力增加时，球形粉末受挤压产生的塑性变形增加

4、，有效地减小了粉末之间的间隙，从而增加了烧结材料的致密度，但最佳的烧结压力为６０ＭＰａ，制得Ａ１－５０Ｓｉ复合材料的致密度高达９９．３％。关键词：Ａ１一Ｓｉ复合材料；粉末冶金；致密度；电子封装ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１—４３８１．２０１４．０２．００９中图分类号：ＴＢ３３３文献标识码：Ａ文章编号：１００１—４３８１（２０１４）０２—００４５—０６———————————————————————————————————————————————Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｂｅｈａｖｉｏｕｒｏｆ

5、Ａ１——Ｓｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｗａｓｓｔｕｄｉｅｄｂｙｕｓｉｎｇｐｏｗｄｅｒｍｅｔａｌｌｕｒｇｙｍｅｔｈ—－ｏｄ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｒｅｌａｔｉｖｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｄｅｃｒｅａｓｅｓｆｒｏｍｃｏｎｔｅｎｔ９９．７％ｔｏ９９．０％ｗｈｅｎｔｈｅＳｉｉｎｔｈｅＡ１一ＳｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉＳｆｒｏｍ４０％ｔｏ６０％．ＴｈｅａｐａｒｔｉｃｌｅｓｉｚｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐｏｗｄｅｒｓｕｓｅｄｉｎｔｈｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｏｆＡ１一Ｓｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｈａｓｓｌｉｇｈｔｅｆｆ

6、ｅｃｔｏｎｔｈｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｓｉｎｔｅｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｅｓｏｂｖｉｏｕｓｌｙｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｓｉｎｔｅｒｉｎｇｔｅｍｐｅ———————————————————————————————————————————————ｒａｔｕｒｅ，ｉｎｄｉｃａｔｉｎｇｔｈｅｏｐｔｉｍｕｍｓｉｎｔｅ－ｒｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｓｂｅｔｗｅｅｎ５５０。Ｃａｎｄ６００。Ｃ．Ｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｓｉｎｔｅｒｉｎｇｐｒｅｓｓｕｒｅ，ｔｈｅｓｉｎｔｅ

7、ｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｏｆＡ１—５０Ｓｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉｎｃｒｅａｓｅｓｒｅｍａｒｋａｂｌｙ．Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｈｉｇｈｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ，ｔｈｅｐｌａｓｔｉｃｄｅｆｏｒｍ—ａｔｉｏｎａｍｏｕｎｔｏｆｔｈｏｓｅｓｐｈｅｒｉｃａｌｐｏｗｄｅｒｓｕｓｅｄｉｎｔｈｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｏｆＡ１一Ｓｉｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉｎｃｒｅａｓｅｓｇａｐｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｔｗｏｎｅｉｇｈｂｏｒｅｄｐｏｗｄｅｒｓｉｓｓｈｏｒｔｅｎｅｄ，ｗｈｉｃｈＳＯｔｈａｔｔｈｅｂｅｎｅｆｉｔｓｔｏｔｈｅｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅｓｉｎ——

8、——————————————————————————————————————————————ｔｅｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅｏｐｔｉｍｕｍｓｉｎｔｅｒｉｎｇｐｒｅｓｓｕｒｅｉｓ６０ＭＰａ，ａｎｄｔｈｅｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇｒｅｌａｔｉｖｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｏｆＡ１—５０Ｓｉｃｏｍｐ