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1、SPICE的器件模型大全在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句，其中就包括元器件描述语句。许多元器件（如二极管、晶体管等）的描述语句中都有模型关键字，而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项，这些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述语句，对这些特殊器件的参数做详细描述。电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单，也比较容易理解，在SPICE基础中已介绍，就不再重复了；二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍，但不够详细，是本文介绍的重点，以便可以自己制作器件模型；场效应管、数字器件的模型过于复杂，太专业，一般用户自己难
2、以制作模型，只做简单介绍。元器件的模型非常重要，是影响分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多图表，特别是很多数学公式，都是在WORD下编辑后再转为JEPG图像文件的，很繁琐和耗时，所以只能介绍重点。一、二极管模型：1.1 理想二极管的I-V特性：1.2 实际硅二极管的I-V特性曲线：折线1.3 DC大信号模型：1.4 电荷存储特性：1.5 大信号模型的电荷存储参数Qd：1.6 温度模型：1.7 二极管模型参数表：二、双极型晶体管BJT模型：2.1 Ebers-Moll静态模型：电流注入模式和传输模式两种2.1.1电流注入模式：2.1.2传输模式：
3、2.1.3在不同的工作区域，极电流IcIe的工作范围不同，电流方程也各不相同：2.1.4Early效应：基区宽度调制效应2.1.5带Rc、Re、Rb的传输静态模型：正向参数和反向参数是相对的，基极接法不变，而发射极和集电极互换所对应的两种状态，分别称为正向状态和反向状态，与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。2.2 Ebers-Moll大信号模型：2.3 Gummel-Pool静态模型：2.4 Gummel-Pool大信号模型：拓扑结构与Ebers-Moll大信号模型相同，非线性存储元件电压控制电容的方程也相同2.5 BJT晶
4、体管模型总参数表： 三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型：3.1一级静态模型：Shichman-Hodges模型3.2 二级静态模型（大信号模型）：Meyer模型3.2.1 电荷存储效应：3.2.2 PN结电容：3.3 三级静态模型：3.2 MOSFET模型参数表：一级模型理论上复杂，有效参数少，用于精度不高场合，迅速粗略估计电路二级模型可使用复杂程度不同的模型，计算较多，常常不能收敛三级模型精度与二级模型相同，计算时间和重复次数少，某些参数计算比较复杂四级模型BSIM，适用于短沟道（<3um）的分析，Berkley在1987年提出四、结型场
5、效应晶体管JFET模型：基于Shichman-Hodges模型4.1 N沟道JFET静态模型： 4.2 JFET大信号模型： 4.3 JFET模型参数表： 五、 GaAsMESFET模型：分两级模型（肖特基结作栅极）GaAsMESFET模型参数表：六、 数字器件模型：6.1 标准门的模型语句：.MODEL<(model)name>UGATE[模型参数]标准门的延迟参数：6.2 三态门的模型语句：.MODEL<(model)name>UTGATE[模型参数]三态门的延迟参数：6.3 边沿触发器的模型语句：.MODEL<(model)name>UEFF
6、[模型参数]边沿触发器参数：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb* JK触发器，后沿触发DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*,gb* D触发器，前沿触发边沿触发器时间参数：6.4 钟控触发器的模型语句：.MODEL<(model)name>UGFF[模型参数]钟控触发器参数：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb* SR触发器，时钟高电平触发DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb*
7、D触发器，时钟高电平触发钟控触发器时间参数：6.5 可编程逻辑阵列器件的语句：U(<#inputs>,<#outputs>)*#+<(timingmodel)name><(io_model)name>[FILE=<(filename)textvalue>]+[DATA=$$][MNTYMXDLY=<(delayselect)value>]+[IOLEVEL=<(interfacemodellevel)value>]
8、 其中：列表 <(filename)textval
