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1、CVT电磁单元的介损测试分析第32卷第8期2006年8月高电压技术HighVoltageEngineeringV01.32No.8Aug.2006?119?CVT电磁单元的介损测试分析tanTestandAnalysisforCVT'SEMUnit梁子孟,谭彦民z(1.南安市电力总公司,南安362300;2.桂林电力电容器总厂,桂林541004)摘要:为分析电容式电压互感器CVT电磁单元的介损试验在电气试验中的重要性,首先建立了CVT电磁单元的等效电路,然后分析各种测试方法及接线面板绝缘,二次线圈对壳电容
2、对测试结果的影响,最后提出试验时应注意的事项.得出电磁单元介损测试在CVT电气试验中的重要性的结论,不同测试方法对电磁单元介损测试结果影响不大,接线面板的绝缘电阻对其结果影响很大.关键词:CVT;电磁单元;介损;电容;测试中图分类号:TM451文献标识码:B文章编号:1003—6520《2006)08-0119--030引言电容式电压互感器(CVT)相对于电磁式电压互感器具有不与系统构成铁磁谐振,不易造成恶性爆炸事故的优点和较高的性价比,故广泛用于≥110kV电压等级的线路和母线上.CVT由电容分压器和电
3、磁单元组成,电容分压器直接接在高压线路上,是CVT的主绝缘部分;电磁单元接在电容分压器的中压部分,它承受的电压一般≤2Okv.但从运行经验来看,电磁单元引起的事故远远多于电容分压器部分,只是因其故障的破坏性小而一直未被重视.通过测量电磁单元的tan值,可发现其内部绝缘材料劣化等问题,但电力设备预防性试验规程[1]对其介损测试没有明确规定,故一般参照TV标准测试介损.因生产厂家执行的标准[2]未要求此项试验,正常的型式试验和出厂试验均无此项数据,故用户在新安装时必须测试电磁单元的介损,以便以后比较,分析.l
4、电磁单元的结构和物理模型分析电磁单元主要由中压变压器一次线圈,多个二次线圈,铁心,补偿电抗器,油箱组成,其并联等效电路图及部件分布见图1,图中的部分电容未画出并联电阻.对桂林电容厂生产的一批TYD110/√3—0.01H型CVT的电磁单元进行绝缘电阻(200GQ,5000V兆欧表)和电容表测杂散电容试验,其中tan~=1/,RZ1～R分别对应为Cz1～Cz4上的绝缘电阻,可得以下数据:①接线面板清洁干燥时各端子间绝缘电阻和电容参数:Rz>200GQ,Cz一10pF,tan~=0.16;②断开中间变压
5、器与补偿电抗器的连线,并将A与XT连接,测试一次绕组对二次绕组的绝缘电C0一,二次绕组间电容;C,:一次绕组高压端对壳的电容;Cm,二次绕组对壳的电容;C,:一次绕组低压端对壳的电容;C.:补偿电抗器地壳的电容:R7:接线面板上接线端子问绝缘电阻:C.:一次绕组层间电容;R,:C.上的绝缘电阻:A:一次绕组高压端XT:一次绕组低压端XL:补偿电抗器低压端图1电磁单元等效电路图阻为1/(1/(1/(1/Rz1+1/R忍)+R)+1/Rx)一120GQ,一次绕组对二次绕组的电容为1/(1/(Cz1+C)+1/
6、Cz2)+Cx)一200pF,tan6=0.013;③测试一次绕组对油箱壳的绝缘电阻为1/(1/(Rx+R)+1/Rz1+1/R)一i00GQ,一次绕组对油箱壳的电容为1/(1/Cx+1/C)+Cz1+Cz3—200pF,tan~=0.016;④断开补偿电抗器与接线面板连线,测试补偿电抗器铁心不接壳时绕组对壳的绝缘电阻Rz4—130GQ,绕组对壳的电容Cz4—150pF,tan一0.016;铁心接壳时绕组对壳的绝缘电阻R一120GQ,绕组对壳的电容为Cz4—300pF,tan~=0.0099/5;⑤断开a
7、—n,da—dn与接线面板连线,并一起短路,测试二次绕组对壳的绝缘电阻为1/(1/(1/(IlRz1+1/R)+Rx)+IlR盈)一100GQ,二次绕组对壳的电容为1/(1/Cz1+C)+1/Cx)+Cz2—370pF,tan~=0.009%;⑥二次绕组间绝缘电阻和电容分别为R一一70GQ,Can一=800pF,tan~=0.006.HighVoltageEngineeringVo1.32No.8CzRz西林电桥图2不同测试点的等效电路图分析可知,测试杂散电容介损时,在并联等效回R,对tanSx的影响可能
8、增大1O～100甚至无路中,如计算介损<1O则将电阻支路开路,介损>法测出tanSx.Rz对接线面板的清洁情况较敏感,1O则将电容支路开路;在串联等效回路中,计算介故其对测试结果影响较大.损<10则将电阻短路,介损>10则将电容短路.接线面板接人线路后,CZ约为其它杂散电容.的1/20,可忽略不计.当接线面板受潮或污秽,Rz降低较快,而Cz不变,故在等效电路中忽略CZ.2不同测试方法(不同点)对测试值的
