模拟电子技术复习题及答案1-2

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1、模拟电子技术复习题及答案1-2一、填空题：（每空1分共40分）1、根据在纯净的半导体中的掺入的微量___元素不同，可形成P型半导体和N型半导体。N型半导体又称为__电子__型半导体，其内部少数载流子是自由电子_____。2、二极管导通后，硅二极管的正向压降约为_0.7___V，锗二极管的正向压降约为_0.3__V。3、利用二极管的__单向导电性__可以组成整流电路。4、光电二极管的功能是将___光____信号转换为__电____信号，发光二极管的功能是将_电___信号转换为___光____信号。5、画放大器的直流通路时把_电容__视为开路，画交流通路时把___电容_和_电源_视为短

2、路。6、在共射基本放大器中(NPN管)，若静态工作点设置偏高，易产生_饱和_____失真，减小饱和失真的方法是使Uce增大，Q点下移。7、放大器有共射、共基和共集三种基本组态，其中_共集电极__组态输出电阻最低，_共基极_组态输入电阻最低，_共发射极__组态兼有电流和电压放大作用。8、在多级放大器中_阻容___和__变压器__耦合，能使各级的静态工作点相互独立，如需放大直流信号，应采用__直接____耦合。9、多极阻容耦合放大器的输入电阻，就是_第一级_____放大器的输入电阻，而输出电阻就是__末级___放大器的输出电阻。10、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：_放大___

3、__、__饱和__和__截止___。11、晶体管非线性失真包括___和___两种。12、对于一个放大器，为提高它带负载的能力，其输出电阻要尽量小，为减轻信号源的负担，其输入电阻要尽量大.13、场效应管是___电压____控制器件，是用____栅源_____电压控制___漏集_____电流，具有高输入电阻和低噪声等优点。14、场效应管按其结构不同分为结型、绝缘栅型两大类，每类有_N沟道__和__P沟道__两种，绝缘栅型按其工作状态又可分为_增强型___和___耗尽型__两种。二、判断1、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（对）2、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。（

4、对）3、常用的半导体材料有硅和锗。（对）4、影响静态工作点稳定的主要因素是温度，此外，电源电压和元件参数变化也会影响静态工作点的稳定。（对）5、共射放大器产生截止失真的原因，是它的静态工作点设置偏低。（对）6、采用分压式偏置放大器，主要目的是为了提高输入电阻。（错）7、共基极放大器没有电流放大作用，所以没有功率放大能力。（）8、放大器的主要技术指标，仅指电压放大倍数。（错）9、放大器的输出电阻与负载电阻有关。（对）10、晶体三极管的放大作用具体体现在△IC=β△IB（错）11、放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量。（对）12、放大器的静态工作点确定后，就不会受外界因素的影

5、响。（错）13、某放大器的电压放大倍数为100，则该放大器的电压增益为100dB。（错）三、选择1、P型半导体中多数载流子是__空穴_____A、正离子B、负离子C、空穴2、二极管的正向电阻___小于____反向电阻。A、大于B、小于C、等于3、稳压管的稳压性能是利用__B______实现的。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性4、半导体中的空穴和自由电子数目相同，这样的半导体称为_____B___A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体5、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于___A____A、放大状态B、饱和状态C、截止状态6、三极管

6、的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于____B___A、放大状态B、饱和状态C、截止状态7、三极管的特性曲线是指它的_____C__A、输入特性曲线B、输出特性曲线C、输入特性曲线和输出特性曲线8、放大器输出信号的能量来源是____A_____A、电源VccB、三极管C、输入信号9、晶体三极管组成的三种组态放大器，其中输入阻抗较大的是____B_____放大器。A、共射极B、共集电极C、共基极10、关于射极输出器的错误叙述是______C___A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入阻抗低，输出阻抗高C、具有电流放大能力和功率放大能力11、已知一个三级放大器，各级电压放大

7、倍数分别为Au1、Au2、Au3，则总的电压放大倍数是____B_A、Au1+Au2+Au3B、Au1×Au2×Au3C、Au1×Au2×Au3/312、三极管组成放大器时，根据公共端的不同，可有____C____种连接方式。A、1B、2C、313、放大器的交流通路是指_____C___A、电压回路B、电流回路C、交流信号流过的路径13、某放大器的电压放大倍数Au=-100，其负号表示____B_____A、同相放大B、反相放大C、衰减14、电压放大器的空载是指___