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1、2012-07-19################2012-07-19#######2#012-07-19########ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响辛荣生1,林钰2(1.郑州大学材料科学与工程学院,河南郑州450052;2.河南教育学院化学系,河南郑州450014)摘要:在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜
2、,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4Ω·cm,可见光透光率达80%以上。关键词:无机非金属材料;ITO膜;氧氩流量比;电阻率;透光率中图分类号:TN304.055文献标识码:A文章编号:1001-2028(2007)07-0021-03InfluenceofthicknessandoxygencontentofITOthinfilmsonitsstructureandpropertiesXINRong-sheng1,LINYu2(1.CollegeofMaterialScienceandEngineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzho
3、u450052,China;2.DepartmentofChemistry,HenanEducationInstitute,Zhengzhou450014,China)Abstract:ITOtransparentsemiconductingfilmsweredepositedontotheglasssubstratesbyDCmagnetronsputteringmethod.ThefilmstructurerelatedtofilmthicknessandoxygencontentwasdeterminedbyX-raydiffraction.Theresistivit
4、yandtransmissivitychangedwithfilmthicknessandoxygencontentindividuallywerealsomeasured.TheITOtransparentsemiconductingfilmswithwellcrystallinity,lowresistivityandhightransmissivitywereobtained,whichdepositedbyprocessingoflowflowratioO2/Ar(1/40)andfilmthicknessabove70nm.TheITOfilmresistivit
5、yis1.8×10–4Ω·cmandvisiblelighttransmissivityisbeyond80%.Keywords:non-metallicinorganicmaterial;ITOfilm;ratioO2/Ar;resistivity;transmissivity氧化铟锡(ITO)透明半导体膜具有一系列独特性能,如电导率高、可见光透光率高、膜层硬度高且耐化学腐蚀,在平面显示器、太阳能电池、电致变色镜、热镜、智能窗和薄膜电池等领域获得广泛的应用[1]。近几年来人们已经研究了用多种沉积技术来制备ITO透明半导体膜[2],但至今为止磁控溅射法还是最普遍使用的方法。
6、很多人在直流磁控溅射法镀制ITO膜方面作了大量的工作,特别是镀膜工艺条件对薄膜光电特性影响方面已有较多文献报导,但有关薄膜厚度和含氧量对ITO薄膜结构影响的详细报道却极其少见。笔者采用直流磁控溅射的方法镀制ITO薄膜,研究了膜厚和含氧量对ITO透明半导体膜结构的影响,并讨论了与之对应的性能关系。1实验1.1镀膜采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备ITO薄膜。在CS—300型溅射设备上,先用真空泵把溅射室的压强抽到3×10–3Pa,然后通纯度为99.999%的氩气,氩的压力维持在0.5Pa。基板玻璃装入溅射室前,先用有机溶剂清洗,然后用去离子水超声清洗两遍。靶材用纯度为99.9
7、9%的氧化铟锡陶瓷靶(ITO靶)。沉积前,靶材提前预溅射10min,以消除任何黏附物,并杜绝任何其它溅射的影响。改变膜厚时,通入的氧氩体积流量比为1/40;改变氧氩流量比镀膜时,控制膜厚为100nm。衬底温度均保持在330℃。收稿日期:2007-04-09通讯作者:辛荣生2012-07基-金1项9目:#河#南#省科#技#攻#关项#目##(#02#243#80#029#)##2012-07-19#######2#012-07-19########1.2测试采用MCK2B型测控仪测量镀膜速率,SDY5型双电测四探针仪测
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