2008春季学期 薄膜物理 试题b卷试题 答案

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1、2008春季学期薄膜物理试题B卷试题答案一、填空题1.表征溅射特性的参量主要有溅射率、溅射阈、溅射粒子的速度和能量等。2.溶胶(Sol)是具有液体特征的胶体体系,分散的粒子是固体或者大分子,分散的粒子大小在1~100nm之间。3.薄膜的组织结构是指它的结晶形态,其结构分为四种类型:无定形结构,多晶结构,纤维结构,单晶结构。4.气体分子的速度具有很大的分布空间。温度越高、气体分子的相对原子质量越小,分子的平均运动速度越快。二、解释下列概念1.真空蒸发镀膜法是在真空室内,加热蒸发容器中待形成薄膜的源材料,使其原子或分子从表面汽化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬底、基片或基

2、板)表面,凝结形成固态薄膜的方法。2.离化率离化率是指被电离的原子数占全部蒸发原子数的百分比例。是衡量离子镀特性的一个重要指标。3.溅射镀膜法利用带有电荷的离子在电场加速后具有一定动能的特点,将离子引向欲被溅射的物质作成的靶电极。在离子能量合适的情况下,入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中将靶原子溅射出来,这些被溅射出来的原子带有一定的动能,并且会沿着一定的方向射向衬底,从而实现薄膜的沉积。4.化学气相沉积(Chemicalvapordeposition)是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。5.溅射阈值溅射阈值是指使靶材原子发生溅射的入

3、射离子所必须具有的最小能量。三、回答下列问题1、描述气体分子从表面的反射-余弦定律及其意义?碰撞于固体表面的分子,它们飞离表面的方向与原入射方向无关,并按与表面法线方向所成角度θ的余弦进行分布。则一个分子在离开其表面时,处于立体角dω(与表面法线成θ角)中的几率是:式中1/π是归一化条件,即位于2π立体角中的几率为1而出现的余弦定律的重要意义在于:(1)它揭示了固体表面对气体分子作用的另一个方面,即将分子原有的方向性彻底“消除”,均按余弦定律散射(2)分子在固体表面要停留一定的时间,这是气体分子能够与固体进行能量交换和动量交换的先决条件,这一点有重要的实际意义2.气体分子

4、的平均自由程概念及其与压强关系的表达式?每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程,其统计平均值:称为平均自由程,平均自由程与分子密度n和分子直径σ的平方成反比关系平均自由程与压强成反比,与温度成正比。3.通常对蒸发源材料的要求?(1)熔点要高(2)饱和蒸气压低(3)化学性质稳定,在高温下不与蒸发材料发生化学反应(4)具有良好的耐热性,热源变化时,功率密度变化很小(5)原料丰富,经济耐用4.如何解决蒸发过程中的分馏问题?(1)使用较多的物质作为蒸发源,尽量减少组元成分的相对变化率(2)采用向蒸发容器中不断地,但每次仅加入少量被蒸发物质的方法(3)利用加热不同温度的双蒸发源

5、或多蒸发源的方法,分别控制和调节每个组元的蒸发速率,此方法用得较为普遍采用真空蒸发法制作预定组成的薄膜,经常采用瞬时蒸发法、双蒸发源法及合金升华法5.简述激光蒸发法的特点?(1)激光加热可以达到极高的温度,可蒸发任何高熔点的材料,且可获得很高的蒸发速率(2)由于采用非接触式加热,激光器可以安放在真空室外,既完全避免了蒸发源的污染,又简化了真空室,非常适宜在高真空下制备高纯薄膜(3)利用激光束加热能够对某些化合物或合金进行闪烁蒸发,有利于保证膜成分的化学计量比或防止分解;又由于材料气化时间短促,不足以使四周材料达到蒸发温度,所以激光蒸发不易出现分馏现象6.简述蒸发镀膜相比溅

6、射镀膜工艺的特点?溅射镀膜与真空镀膜相比,有如下特点:(1)任何物质均可以溅射,尤其是高熔点、低蒸气压元素和化合物。不论是金属、半导体、绝缘体、化合物和混合物等,只要是固体,不论是块状、粒状的物质都可以作为靶材(2)溅射膜与基板之间的附着性好(3)溅射镀膜密度高,针孔少,且膜层的纯度较高,因为在溅射镀膜过程中,不存在真空蒸镀时无法避免的坩埚污染现象(4)膜厚可控性和重复性好;可在较大面积上获得厚度均匀的薄膜7.为什么射频辉光放电的击穿电压和维持放电的工作电压均降低?产生射频放电时,外加电压的变化周期小于电离和消电离所需时间(一般在10-6秒左右),等离子体浓度来不及变化。

7、由于电子的质量小,很容易跟随外电场从射频场中吸收能量并在场内作振荡运动。因此增加了气体分子的碰撞几率,并使电离能力显著提高射频辉光放电的击穿电压只有直流辉光放电的1/10射频辉光放电可以在较低的压力下进行。直流辉光放电常在1-10Pa运行,射频辉光放电可以在10-2~10-1Pa运行8.简述CVD反应的基本类型?a.热分解反应b.还原或置换反应c.氧化或氮化反应d.歧化反应9.简述任何CVD所用的反应体系,都必须满足的基本条件?(1)在沉积温度下,反应物必须有足够高的蒸气压,要保证能以适当的速度被引入反应室(2)反应产物除了所

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