集成电路工艺名词解释

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1、1、CZ单晶生长法定义：Czochralski(CZ)－查克洛斯基法生长单晶硅，把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。85％以上的单晶硅是采用CZ法生长出来的。CZ法特点：a.低功率IC的主要原料。b.占有～80％的市场。c.制备成本较低。d.硅片含氧量高。2、描述氧化物的生长速率，影响这种速率的参数是什么？氧化物生长速率用于描述氧化物在硅片上生长的快慢。影响他的参数有温度、压力、氧化方式(干氧或湿氧)、硅的晶向和掺杂水平。3、短沟道效应（ShortChannelEffect）：

2、短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。源-漏两极的p-n结将参与对位于栅极下的硅的耗尽作用，同栅极争夺对该区电荷的控制。栅长Lg越短，被源-漏两极控制的这部分电荷所占的份额比越大，直接造成域值电压Vt随栅长的变化。4、方块电阻（薄层电阻）：方块电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量。Q:从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量。5、体电阻与方块电阻的关系：方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。6、固溶度（solubility）:

3、在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。7、扩散定义：材料中元素分布的不均勻会导致扩散行为的进行，使得元素由浓度高处向浓度低处移动，从而产生的一种使浓度或温度趋于均匀的定向移动。8、扩散的微观机制都有哪些？给出相关扩散方式的定义及扩散杂质的种类。①间隙式扩散：杂质进入晶体后，仅占据晶格间隙，在浓度梯度作用下，从一个原子间隙到另一个相邻的原子间隙逐次跳跃前进。每前进一个晶格间距，均必须克服一定的势垒能量。势垒高度Ei约为0.6~1.2eV；间隙式扩散杂质包括Au,Ag,Cu,Fe,Ni,Zn

4、,Mg,O等，这些杂质均属于快扩散杂质。②替位式扩散：杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位（空格点），在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。每前进一步，均必须克服一定的势垒能量。替位式原子必须越过的势垒高度为Es约3～4eV。替位式扩散杂质包括B,P,As,Sb,Ga,Al,Ge等，这些杂质均属于慢扩散杂质。9、扩散的宏观机制：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高的地方向浓度低的地方进行，而使得粒子的分布逐渐趋于均匀。扩散的原始驱动力是体系能量最小化。10、恒定表面源扩散：

5、扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布。11、有限表面源扩散：扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化。这种类型的扩散称为有限表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布。12、横向扩散：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：假如杂质原子沿硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散。14、简述两步扩散的含义与目的。答：第一步称为预扩散

6、或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散的同时也往往进行氧化。15、离子注入定义：离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质。16、1）射程R：离子从进入靶到停止为止走过的总距离。2）投影射程：射程在离子入射方向投影的长度。3）平均投影射程Rp：所有入射离子的投影射程的平均值。4）标准偏差

7、△Rp：17、阻止机制：材料对入射离子的阻止能量的大小用阻止机制来衡量。阻止机制表示离子在靶内受到阻止的概率。1963年，Lindhard,ScharffandSchiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称LSS理论。LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：1）电子阻止机制：来自原子之间的电子阻止，属于非弹性碰撞。2）核阻止机制：来自原子核之间的碰撞，属于原子核之间的弹性碰撞。总能量损失为两者的和。18、什么是横向效应？指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况。横向效应不但和入

8、射离子的种类有关，还和入射能量有关。横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度。19、离子注入的沟道效应：当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。20、离子注入的晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶