近期关于光催化水解制氢气的研究综述

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1、以二氧化钛为基质的催化剂的研究综述温邻君杨晓奕(北京航空航天大学,北京,100191)摘要:本文系统地介绍了关于光致水解制氢气的催化剂的近期研究进展。从以下几个提高催化活性的方向:贵金属负载、离子掺混、染色光敏化处理、复合半导体及化学牺牲剂等,结合最新的研究成果,总结各种改善高催化活性思路的科研进展,系统地比较各个方法的特点,提出自己的看法。并展望该领域未来的发展。关键词:TiO2、光催化水解制氢、催化剂改性技术、电子-空穴、牺牲剂、量子效率Abstract:Thispaperreportstherecentdevelopmentsinphoto

2、catalyticwater-splittingforhydrogenproduction.Basingonthefollowingmethodstoimprovethecatalyticactivity:noblemetalloading,iondoping,dyesensitization,compositesemiconductorsandchemicaladditives.Combineswiththerecentresearchresultstosummarizethedevelopmentsinthosemethods.Systema

3、ticallycomparesthecharacteristicsofthevariousmethodsandgivesmyownopinions.Atlast,lookforwardtothefutureinthisarea.Keywords:TiO2,photocatalyticwater-splittingforhydrogenproduction,photocatalystmodificationtechniques,electron-role,sacrificialreagents,quantumefficiency1972年Fujis

4、hima和Honda发现在TiO2电极上光催化分解水的现象,这标志着光能催化利用的研究进入了一个新的阶段。[[1]FujishimaA,HondaK.ElectrochemicalPhotolysisofWaterataSemiconductorElectradeNature.(1972)238,37]基本原理为:二氧化钛在受到能量相当于或高于它的禁带宽度(3.2eV)的光(波长小于367nm)辐照时,晶体内的电子受激从价带跃迁到导带,在导带和价带分别形成自由电子和电子空穴,水在这种有极强的氧化还原能力的电子-空穴对的作用下发生电解,生成H2和O

5、2。后来研究发现,在元素周期表过渡区的半导体物质大都具有类似的性质,如CdS、SiC等也被证明有催化活性。[[2]AshokkumarM.Anoverviewonsemiconductorparticulatesystemsforphotoproductionofhydrogen.Int,JHydrogenEnergy23(6)(1998)427–38.]三十多年来,随着人们在此基础上的研究不断展开和深入,对各种半导体材料光催化剂特性的认识也不断深入。到目前来说,TiO2凭借其无毒无味、化学结构稳定、光谱响应范围较宽及较为廉价等特性,仍是应用最广

6、的光反应催化剂,在水解制氢及污水/空气净化等领域,都取得了很大的进展。但TiO2较低的催化效率,及其对可见光极低的响应能力,都限制了其应用。人们为了其催化活性的提高,做出了不懈的努力,并且已经得到了多种改善其催化活性的有效方法。近年来,有多项关于新型催化剂改造方法的科研成果发表,给这片科研领域带来了很多惊喜,也给我们带来了更多的启示。提高催化剂活性的方法总体上可以分为两类:“催化剂改性技术”和“化学牺牲剂法”。[[3]MengNi,MichaelK.H.Leung,DennisY.C.Leung,K.Sumathy.Areviewandrecen

7、tdevelopmentsinphotocatalyticwater-splittingusingTiO2forhydrogenproduction/RenewableandSustainableEnergyReviews11(2007)401-425]催化剂改性技术,是指通过各种手段,改造其微观结构,从吸光特性方面提高其催化活性,主要包括:贵金属负载、离子掺混、染色光敏化、复合半导体;化学牺牲剂法,是指通过在反应系统中添加前躯物,作为牺牲剂,直接参与反应,从化学反应动力方面提高能量转化效率,最常用的是直接在反应溶液中添加甲醇、乙醇、EDTA等有

8、机物。1.催化剂改性技术的研究进展1.1金属负载常用的大多为贵金属,包括Pt、Au、Pd、Rh、Ni、Ru和Ag等,已经被证明对于增强二

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