电子元件实验室认可证书附件

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1、ISO/IEC17025认可证书CNAS-PD19/06-A/1中国合格评定国家认可委员会实验室认可证书附件(No.CNASL2047)名称：艾默生网络能源有限公司研发部实验室地址：广东省深圳市南山区科技园科发路1号签发日期：2009年02月06日有效期至：2010年04月21日附件1-1认可的检测能力范围序号产品/产品类别项目/参数领域代码检测标准（方法）名称及编号（含年号）限制范围说明序号名称8场效应晶体管1外观和尺寸检查0418半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part32漏源击穿电压BVdss0418半导

2、体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章3GB/T4586—94，IEC747-8-19843域值（开启）电压Vgs(th)0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章6GB/T4586—94，IEC747-8-19844导通电阻Rds(on)0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章15GB/T4586—94，IEC747-8-19845输入电容Ciss0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章7GB/T4586—94，IEC747-8-19846输出电容Coss0418半导体器件分立器件第8部分

3、：场效应晶体管第Ⅳ章9GB/T4586—94，IEC747-8-19847反馈电容Crss0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章11GB/T4586—94，IEC747-8-1984No.CNASL2047第16页共16页ISO/IEC17025认可证书CNAS-PD19/06-A/18栅极击穿电压Vgss0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章2GB/T4586—94，IEC747-8-19849漏极漏电流Idss0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章3GB/T4586—94，IEC74

4、7-8-198410栅极漏电流Igss0418半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第Ⅳ章2GB/T4586—94，IEC747-8-198411可焊性0418半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part2112耐焊接热0418半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part2013高温反偏HTRB0418美国军用标准半导体试验方法1042.3MIL-STD-750D-1995HTRB后漏电流过大的原因有2大点：1，在wafer表面出现漏电流    原因：可能有水汽进入塑封体；wafer表面有污染

5、；塑封料中离子含量过2，在wafer栅氧里有离子存在    原因：塑封料应力过大引起栅氧的压电效应；高温条件下栅氧中离子活性增强在高反压下向栅氧的Si－SiO2边上集中，而在常温下温度降低离子活性降低集中在Si－SiO2边上，当ds间加电压时导致漏电流过大！14高温栅极应力HTGB0418美国军用标准半导体试验方法1042.3MIL-STD-750D-1995HTGB：HighTemperatureGateBias,在规定的结点温度下，在最大正向栅电压下储存1000个小时15温度循环0418JEDEC标准温度循环JESD22-A104

6、-B200016高温高湿0418JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997No.CNASL2047第16页共16页ISO/IEC17025认可证书CNAS-PD19/06-A/117HAST0418JEDEC标准温湿度高加速应力试验JESD22-A110-B1999HAST（highacceleratedtemperature&humiditystresstest）HAST高加速应力实验，俗称压力锅实验，高温，高湿，高压。该实验温度一般在100degC以上，湿度在95%以上，压强2个大气压差不多.K.C"W.S,

7、a![-o4h%M5M'm*wIC做该实验的目的是验证它的可靠性，在这种条件下，如果IC有Delamination,水汽会渗透进取，从而对IC后续的可靠性产生影响。5Y:E"

8、8K'`(@该实验一般需要前后做Functionaltest,X-Ray,C-SAM实验对比。9绝缘栅双极晶体管1外观和尺寸检查0418半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part32漏源截至电压0418绝缘栅双极晶体管测试方法GB17007-19973域值（开启）电压0418半导体器件分立器件GB/T4586-1994第Ⅳ章第6节4集射极饱

9、和电压0418半导体器件分立器件GB/T4586-1994第Ⅳ章第15节5输入电容0418半导体器件分立器件GB/T4586-1994第Ⅳ章第7节6输出电容0418半导体器件分立器件GB/T4586-1994第Ⅳ章第9节