极化弛豫和介电损耗

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1、动态介电常数极化弛豫和介电损耗,介电频谱德拜弛豫和共振弛豫,动态介电常数在静电场下测得的介电常数称为静态介电常数,在交变电场下测得的介电常数称为动态介电常数,动态介电常数与测量频率有关。前面主要介绍了在静电场作用下的介电性质,下面介绍一下在交变电场作用下的介电性质。弛豫时间relaxationtime因为电介质的极化强度是电子位移极化、离子位移极化和固有偶极矩取向极化三种极化机制的贡献。当电介质开始受静电场作用时,要经过一段时间后,极化强度才能达到相应的数值,这个现象称为极化弛豫,所经过的这段时间称为弛豫时间。电子位移极化和离子位移极化的弛豫时间很短(电子位移极化的弛豫时间

2、比离子位移极化的还要短),取向极化的弛豫时间较长,所以极化弛豫主要是取向极化造成的。当电介质受到交变电场的作用时,由于电场不断在变化,所以电介质中的极化强度也要跟着不断变化,即极化强度和电位移均将随时间作周期性的变化。介质损耗dielectricloss如果交变电场的频率足够低,取向极化能跟得上外加电场的变化,这时电介质的极化过程与静电场作用下的极化过程没有多大的区别。如果交变电场的频率足够高,电介质中的极化强度就会跟不上外电场的变化而出现滞后,从而引起介质损耗。动态介电常数也不同于静态介电常数。所谓介质损耗,就是在某一频率下供给介质的电能,其中有一部分因强迫固有偶极矩的转

3、动而使介质变热,即一部分电能以热的形式而消耗。可见,介质损耗可反映微观极化的弛豫过程。若作用在电介质上的交变电场为:由于极化弛豫,P与D都将有一个相角落后于电场E,设此角为,则D可写为:其中D1=D0cos(),D2=D0sin()。对于大多数电介质材料,D0与E0成正比,不过比例系数不是常数,而是与频率有关。为了反映这个情况,引入两个与频率有关的介电常数:并有:因1和2与频率有关,所以相角也与频率有关。当频率趋近于零时,极化不出现滞后,这时相角=0。由此可见,当频率接近于零时,1就等于静态介电常数。下面证明在介质中以热的形式所消耗的能量与2()有关。因

4、为电容器中的电流强度为:其中为电容器板上的自由电荷面密度。在单位体积内介质每单位时间所消耗的能量为:可见,能量损失与sin()成正比。损耗因子lossfactor因此,sin()称为损耗因子;因为当很小时,sin()tan(),所以有时也称tan()为损耗因子。因为介质损耗与电场强度的频率、温度以及极化机制等都有关系,是一个比较复杂的问题。介质损耗大的材料,做成元件质量也差,有时甚至不能使用。所以介质损耗的大小,是判断材料性能的重要参数之一。注意:在某一频率范围的介质损耗小,并不等于在所有频率范围内的介质损耗都小。例如,铌酸锂LiNbO3晶体在室温(20C

5、)时的损耗因子tan()与频率的关系如图2-18所示。从图中可以看出,在频率为107Hz附近损耗很大,因此设计器件时就应考虑避开此频率附近。如选用LiNbO3晶片做纵向振动时就不应选择大小约为7.67.625.4的晶片。图2-18铌酸锂晶体的损耗因子与频率的关系(25C)两种类型的介电频谱电介质的极化主要来自三个方面:电子位移极化;离子位移极化;固有偶极子的取向极化;不同频率下,各种极化机制贡献不同,使各种材料有其特有的介电频谱。设在时间间隔u到u+du之间,对介质施加强度为E(u)的脉冲电场。产生的电位移可以分为两部分:一部分是它随电场瞬时变化,用光频电容()

6、表示。另一部分则由于极化的惯性而在时间tu+du是继续存在。如果在不同的时间有几个脉冲电场,则总的电位移为各脉冲电场产生的电位移的叠加。如果施加的是一起始于u=0的连续变化的电场,则求和应该为积分式中(t-u)为衰减函数,它描写电场撤除后D随时间的衰减。显然当t时,(t-u)0.现在考虑施加周期性电场E(t)=E0cost,并将变量u改为x=t-u.如果电场保持足够长的时间,致使t大于衰减函数趋于零的特征时间,则积分上限x可取为无穷大。在此情况下,D也必然随时间周期性变化可写为于是可将(6.1)式写成由此得到式中r()时光频电容的实部。此时可统一写为下边的

7、式子:上式还表明,r’和r”都可以由同一个函数导出,所以它们不可能是独立的。现在求他们的关系。对上边两个式子作傅里叶变换,可得到衰减函数为由此可得到熟知的Kramers-Kronig关系式中积分前的字母P表示积分时取Cauchy积分主值,即积分路径绕开奇点=’。上式表明,如果在足够宽的频率范围内已知r’,则可以计算出r”,反之亦然。频率范围足够宽的含义就是在该范围以外,r’和r”无明显的色散现象。前边的统一式子表明,不同系统的特性表现在衰减函数(x)上。铁电体大致可以分为两种类型:有序无序型:可描

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