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《铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究杨绪军梁庭牛坤旺刘岗张文栋(中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，电子测试技术国防重点实验室，山西太原030051)摘要：铌酸锂(LN)作为一种热释电材料，可以制作为光电探测器敏感单元的敏感层。通常LN晶片厚度为0.5mm远大于光电敏感单元厚度的要求，所以需要用键合减薄及抛光技术对LN晶片进行加工处理。该键合减薄技术主要包含：RZJ-304键合、铣磨、抛光、剥离液剥离和丙酮清洗RZJ-304胶。经过加工后可得到面积为10mm10mm，厚度为50um，表面质量比较光滑，粗糙度为1.63nm的LN晶片。最后还测试验证了经该方法减薄抛光后的LN晶片热释电特性
2、良好。关键词：LN晶片;键合;减薄;抛光;热释电中图分类号:TN305文献标识码:AStudyingpyroelectricperformanceoflithiumniobate waferpreparedbywaferbondingandthinningYangXujun,LiangTing,NiuKunwang,HanYu,LiuGang,ZhangWendong(KeyLaboratoryofInstrumentationScience&DynamicMeasurement(NorthUniversityofChina),MinistryofEducation,shanxi，030051
3、,chinaNationalKeyLaboratoryforElectronicMeasurementTechnology,Shanxi,030051,China)Abstract:Lithiumniobate (LN) asa kindofpyroelectric material canbemade intoa sensitive layerofsensitiveelementof Photoelectricdetector.SincethethicknessofLNwaferistypical0.5mm,LNwaferisprocessedbybonding,thinningandpol
4、ishingprocess.TheprocessmainlyincludesRZJ-304photoresistbonding,grinding,polishing,strippingliquidstrippingandacetonecleaning.Afterprocessing,thedimensionofLNwaferis10mm10mm50um,thesurfaceofLNisverysmooth,andtheroughnessofLNis1.63nm.Finally,testingthe pyroelectric effectofthinningandpolishing LNwafe
5、risgood. Keywords:LNwafer;bonding;thinning;polishing;pyroelectric locatedintheTomb,DongShenJiabang,deferthenextdayfocusedontheassassination.Linping,Zhejiang,1ofwhichliquorwinemasters(WuzhensaidinformationisCarpenter),whogotAfewbayonets,duetomissedfatal,whennightcame铌酸锂[1-2](LiNbO3,简称LN)晶体作为一种多功能材料具有
6、优良的热电、压电、介电、铁电、非线性光学、光弹性、机械以及物理性能，并且价格低廉、耐高温、耐腐蚀、易加工，在光电技术产业中获得广泛应用。以LN晶体热电性能为例进行研究。LN晶体热释电系数虽然比许多热释电晶体小，但是由于它的居里温度高（1260oC），硬度低(莫氏5)易加工，相对介电常数较小，而且化学、物理性能稳定，所以在光电探测[3]一直备受关注。因此，它在光电探测器中作为敏感层具有很好的发展前景。要制备光电敏感层，晶体就必须减薄到几十微米的级别，但通常LN晶体的厚度是0.5mm，所以就需要进行减薄处理。收稿日期：基金项目：国家863重大项目（2006AA040101）作者简介：杨绪军（198
7、5－），男，山西朔州人，研究生，主要从事光电探测器的理论和工艺研究，Tel:13753123747，E-mail:xjyang1986@163.com晶体的减薄方法[4-5]通常有：铣磨、反应离子刻蚀、离子铣、湿法刻蚀等。考虑到要快速去除大量的LN晶体，获得LN薄膜，我们选择利用铣磨原理。本文介绍了了一种LN晶片减薄抛光的方法，通过SKCH-1型精密测厚仪测试了减薄晶片的厚度，并采用CMPS-55
