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时间:2018-10-11
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1、EMC-瞬态电压的抗扰度试验及防护1种类浪涌(冲击)Surge:雷电,(开关)操作过电压电快速瞬变脉冲群Electricalfasttransient/burst,EFT/B:切断电感性负载等引起静电放电Staticelectricitydischarge或Electrostaticdischarge(ESD):人体或机器静电放电2抗扰度实验方法2.1浪涌抗扰度实验标准:GB/T17626.5-1999电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验(等同采用IEC61000-4-5:1995)1)试验信号14对应的短路电流波形为10/350μs。2)抗扰度等级
2、(试验信号电压)142)针对电源端口和非电源端口采用不同的信号源电阻和耦合方式对电源端口:线对线:2Ω(信号发生器的内阻),耦合电容18μF线对地:2Ω(信号发生器的内阻)+10Ω,耦合电容9μF(美国等国家用2Ω)对直流电源端口,如果不是连接到配电电源网络,视作其它端口对其它非屏蔽非对称端口:2Ω(信号发生器的内阻)+40Ω,耦合电容0.5μF或用放电管耦合(当电容耦合会影响被试设备工作时)对其它非屏蔽对称端口:如下图对屏蔽端口:(略)2.2电快速瞬变脉冲群抗扰度实验标准:GB/T17626.4-1998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验(等
3、同采用IEC61000-4-4:1995)141)试验信号142)抗扰度等级(实验信号电压)143)耦合方式对电源端口:电容耦合,33nF耦合电容对其它端口:容性耦合夹或金属箔等2.3静电放电抗扰度实验标准:GB/T17626.2-1998电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(等同采用IEC61000-4-2:1995)1)静电放电模型141)静电发生器等效电路及放电电流波形143)试验方法(1)直接放电接触放电(优先选用):外壳,允许用户维修的点空气放电(不能使用接触放电时):表面涂漆,且制造厂家指明是绝缘层,则使用空气放电,否则,应穿入漆膜,进行接触
4、放电。(2)间接放电:对设备附近的耦合板进行放电。4)试验等级2.4过程仪表的抗扰度试验等级标准:GB/T18268-2000(等同IEC61326-1997)测量、控制和实验室用的电设备电磁兼容性要求浪涌:3级。电源端口:1KV/2KV,其它端口:1KV和电快速瞬变脉冲群:3级。电源端口:2KV,其它端口:1KV静电放电(外壳):接触放电:2级(4KV);空气放电:3级(4KV)关于直流电源端口的理解:连接与直流配电网络的端口。没有连接与直流配电网络的端口,应当做I/O端口/控制端口处理147)4瞬态电压的防护基本方法:吸收;滤波4.1吸收用器件陶瓷放电管
5、GASTUBE陶瓷气体放电管是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的开关型保护器件,一般分二电极和三电极两种结构。基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与放电管并联的其它器件得到保护。其产品主要特点是:放电电流大(达20KA以上),极间电容小(≤3pF),绝缘电阻高(≥10GΩ).击穿电压分散性较大(±20%),反应速度稍慢(最短为0.1~0.2μs),有续流问题。半导体放电管SIDACTOR(硅对称二端开关元件)半导体放电管是一种PNPN组件(Thyristor,一个无门电极的自由电压控制的可控
6、硅)14,当电压超过它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时,半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时,半导体放电管由于负阻效应进入导通状态,只有在当电流小于维持电流时,组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。特点:快速响应(1纳秒)启动电压范围5V-550V,瞬间冲击电流50A-3000A;无极性,双向浪涌保护、对浪涌有良好的吸收性;具有单芯片、双芯片及三芯片3端子平衡型;有表面安装型(DO-214AA)。有续流问题。玻璃放电管SPARKGAP玻璃放电管”将半导体Si集成在气体放电管里,使该产品集气体放电管的大浪涌电流和半导体的
7、高速响应于一体,克服了原气体放电管响应速度慢(μs级)和半导体管耐浪涌电流弱的缺点、具有响应速度快(ns级)、耐冲击、性能稳定、重复性好和寿命长等优点。电流承受能力强:500A(8/20μs)1000A(8/20μs),3000A(8/20μs)静电容量小于2pF(1KHZ),钳制电压接近其直流转折电压,从而能及时有效地吸收瞬间高电压,动作速度明显优于普通气体放电管和其他保护单元。更新换代容易,可直接替代LC滤波组件、热敏电阻、压敏电阻及其他过电压保护器件。广泛应用于网络、通讯等设备过压过流的板级防护。有续流问题。压敏电阻VARISTOR压敏电阻是一种以氧化
8、锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件;电阻对
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