2、时，Ioutl和Iout2的值。2.Vtest从0V变到2.5V,观察两个输!li支路的输;li阻抗的变化，仿真!li结果曲线，画出曲线图。3.Vtest从0V变到2.5V,观察两个输出支路的输出电流的变化，仿真出结果曲线，画出曲线图。4.画出Vtest从2.5V变到0V,VY的变化曲线，观察M3、M2进入线性区的先后。实验仿真波形及原理分析设计思路：由电路图可以看出,Ml,M2,M4构成电流镜结构。Ml的电流镜像到M2、M4。将M1,M2,M4宽长比没a为相等的值吋，由于公式：Iref=^Cox[
3、^(YGS}-VW1)2(1+AVX)以及out1可得:ref(w/l)2+avy(W/L),1+AVX=U^Cox~T(VGS2-VTH2)2(i+^VY)ouiiz、£zy2out22narIL=-u..cJ-(VC；52-VW2)2(14-AVP)w实验中设：(—)^4wout25,L,^4=0.3/zm,W卜4=1.5/zm当^/,(一)「确定时，也就确定丫，观察」is文件，得Vx«600mvL估算％吋，先忽略沟道调制作用，I()litl=10/M=-w..c」二I{vh-vy-
4、vTH2YVr=VX=0.6V代入数据，求得V„=实验发现当％=9.7/M,%过小，经过多次调节Vb的值，敁终Vb=1.35V使电路满足课题要求，Iollt]=10/M本实验屮运川的模型参数如卜*:Toxn=5.8e-9,dxl=0,dvthn=0,dvthp=0,LMIN=2.4E-07,LMAX=5.0E-07-dxlVTN=0.4312336+dvthn,U0n=0.06005258,T0X=toxn,VTP=dvthp-0.6236538U0p=0.0136443设计完成满足要求的Hspic
5、e实验网表如下:*mirror.sp.paramvb=l.35vwl=l.5E-6w2=l.5E-6a=l
6、VTESTP0+2.50000000E+00VIVBB0vbVDDNET302.5IREFNET3XDC=10E-6M3PVBBY0NMOSL=300E-9W=wlM=1M4PX00NMOSL=300E-9W=w2M=aMlXX00NMOSL=300E-9W=w2M=aM2YX00NMOSL=300E-9W=w2M=a.includeemos.lib*ENDOFNETLIST.DCVTEST0
7、.000012.500001.000000E-02.TEMP25.0000.OP.OPTIONnodelistpost.probeI(M3)I(M4).END仿真后lis文件：subcktelement0:m30:m40:ml0:m2model0:nmos0:nmos0:nmos0:nmosregionSaturatiSaturatiSaturatiSaturatiid10.0523u14.5551U10.0000U10.0523Uibs-212.9300a-1.122e-19-7.706e-20-
8、7.747e-20ibd-212.9300a-212.9300a-212.9300a-212.9300avgs721.8616m610.1507m610.1507m610.1507mvds1.87192.5000610.1507m628.1384mvbs-628.1384m0.0.0.vth635.1007m500.4276m500.9986m500.9932m由此可看出所有管了都工作在饱和区。1.当Vtest=2.5V时，Ioutl和Iout2的值。从波形阁像可以看出，L=2.5V时，Iouti=
9、OApA,Ioilt2=14.6/Z4不断增大，而M4进入饱和区后由于沟道长度调制效应，电流会缓慢增大，而阻抗Rout4会不断减小。当时，M3进入饱和区，ROut4不再发生变化。3.Vtest从0V变到2.5V，观察两个输出支路的输出电流的变当M2,M4工作在饱和区时ID2(i+Dout2-心4)2(1+礼)由于M2,M3构成共源共栅结构，当M2,M3工作在饱和区吋，存在屏蔽效应。则loutl不受到沟道长度调制效应的影响，而Iout2受到沟道长度调制效应的影响。干是
