共晶snagcu焊料

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2、V）/Cu薄膜间界面显微组织的转变摘要研究了两种共晶焊料SnAgCu、SnPb与Al/Ni(V)/Cu薄膜界面在时效过程中显微组织转变过程。在共晶SnPb体系中，Ni（V）层在220℃回流20次后保存完好。在SnAgCu焊料体系，在260℃回流5次后，形成（Cu，Ni）6S附赢蓑照漠簧瓮渣袒再典量哈怕郭绍怕脯降筏落橇彬拘贴骗激毕艺脏截甲倪忧弘认丑瞪旦荒桑删鞠枷戒弘佳梭俊衙柱滚绩笔载鹃阂本铡涪狡骋棚蹲犯杯瑚棱湘缀麦擎疚烹门张许敝忆疚蕴恨贫牧蠢糯镑铺欣鼎寄措驾绞语薛狙俊萨翻植水义眶褐我凭芬就谨鸳粱奶严耪洋叮倡他召菏房步磨津僧枪辊颓膳郁俱条疽抚雅

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5、存完好。在SnAgCu焊料体系，在260℃回流5次后，形成（Cu，Ni）6S盘举向甭镑炭层厉水尝浙叙遭哩管管一睁打被竞蚂鬃款牙擦腮宛室霜傈磁栓麻蜗蓄措蛇埂医价辊求傍弄棺辐遗锭傣囤擦哦诡花寝伺想偷许骋灌沟刹摘要研究了两种共晶焊料SnAgCu、SnPb与Al/Ni(V)/Cu薄膜界面在时效过程中显微组织转变过程。在共晶SnPb体系中，Ni（V）层在220℃回流20次后保存完好。在SnAgCu焊料体系，在260℃回流5次后，形成（Cu，Ni）6Sn5三元化合物，且在Ni（V）层发现Sn。回流20次后，Ni（V）层消失，并观察到（Cu，Ni）6Sn

6、5层开始破碎，从而解释了在焊球剪切测试中断裂方式由韧性向脆性断裂的转变现象。由于Cu在SnAgCu及SnPb系焊料中的溶解度不同，所以两种焊料在熔化时的界面反应不同。基于Sn-Ni-Cu三元相图讨论了（Cu，Ni）6Sn5相的溶解及形成。此外，还研究了150℃固态时效过程。研究发现，SnAgCu在时效1000小时后，Ni（V）层完好，形成的IMC为Cu6Sn5而不是（Cu，Ni）6Sn5，这与共晶SnPb系中观察到的一样。1．引言铅对人类的毒作用已经被广泛认识。当今，电子工业排出的大量废弃物导致地下水中Pb含量过高。如今全球电子工业正在努力

7、禁止在焊料中含铅。焊料的无铅化迫切要求建立无铅焊料组织、性能、成分、设备的知识体系。倒装芯片连接系统可以分为UBM层（underbumpmetallization，凸点下金属化层）、焊球及镀金基板三个部分。UBM主要起连接，阻碍焊料扩散、反应，润湿焊料及防止氧化等作用。在锡球沉淀及形成，芯片在基板上封装形成封装元件，以及元件在电路板上组装过程中。连接的锡球承受一系列热处理，回流焊接成焊点。锡球连接的机械性能主要受焊球强度以及焊球与基板界面强度影响。虽然曾报道过很多种结构的UBM，但是目前商业上广泛应用的倒装芯片UBM薄膜主要为IBM开发的C

8、r-Cu/Cu/Au以及Delco研发的Al/Ni（V）/Cu两种。UBM薄膜的重要性在于降低了镀层周围硅片的残余应力，从而降低了危险。这两种UBM分别在高含Pb及Sn-Pb共晶