几种补偿技术的比较

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1、几种动态补偿技术性能比较一、MSVC型动态补偿:1、MSVC装置的工作原理:MSVC动态补偿装置由电容器补偿支路和磁控电抗器支路组成。通过调节磁控电抗器的感性输出容量,实现无功功率的连续可调。2、磁控电抗器工作原理:原理:磁控电抗器采用直流助磁原理,利用附加直流励磁磁化铁心,改变铁心磁导率,实现电抗值的连续可调,从而调节电抗器的输出容量,实现无功功率的柔性补偿。其内部为全静态结构,无运动部件,工作可靠性高。可控电抗器原理接线如图1所示。在可控电抗器的工作铁心柱上分别对称地绕有匝数为〜2的两个线圈,其上有抽头比为的抽头,它们之间接有可控硅(、不同铁心的上下

2、两个主绕组交叉连接后并联至电源,续流二极管接在两个线圈的中间yvynk6X1磁控电抗器原理接线当电抗器绕组接至电源电压时,在可控硅两端感应出1%左右电源电压的电压。电源电压正半周触发导通可控硅'形成图2(a)所示的等效电路,其中%=n-~,在回路中产生直流控制电流4'和C;电源电压负半周期触发导通可控硅形成图2(b)所示的等效电路,在回路中形成直流控制电流和。一个工频周期轮流导通1和7'2,产生的直流控制电流和C,使电抗器工作铁心饱和,输出电流增加。可控电抗器输出电流大小取决于晶闸管控制角〃,〃越小,产生的控制电流越强,从而电抗器工作铁心磁饱和程度越高,

3、输出电流越大。此,改变晶闸管控制角,可平滑调节电抗器容量(a)1导通(b)K导通附图2晶闸管导通等效3、技术优势:3.1、能够实现快速平滑调节,响应时间为100—300ms,补偿效果好。3.23.33.43.53.63.7磁控电抗器采用低压晶闸管控制,其端电压仅为系统电压的1%〜2%,无需串、并联,不容易被击穿,安全可靠。即使可控硅损坏,磁控电抗器也仅相当于一台空载变压器,不影响系统其他装置的运行。晶闸管运行时不需要承受高电压、大电流,,发热量很小,自然冷却即可,无需辅助冷却设备,可实现免维护。设备自身谐波含量少,不会对系统产生二次污染。占地面积小,安装

4、布置方便。装置投运后功率因数可达0.95以上,消除电压波动及闪变,三相平衡符合国际标准二、相控式动态无功补偿装置(TCR):2相控式电抗器的结构原理1、原理:相控式原理的可控电抗器的调节原理见图2所示。通过对可控硅导通时间进行控制,控制角为〃,电流基波分量随控制角〃的増大而减小,控制角〃可在0°~90°范围内变化。2、技术特点:电感平衡部分的结构一般是由可控硅、平衡电抗器、控制设备及相应的辅助设备组成,其优缺点大致表现在以下几方面:2.1晶闸管要长期运行在高电压和大电流工况下,容易被击穿。2.2晶闸管发热量大,一般情况采用纯水冷却,除了要有一套水处理装置

5、可靠的水源而外,还需配有监护维修人员。2.3由于调整主电抗电感量只能靠控制可控硅器件的导通角,关闭则需靠交流电的过零特性,所以必然会产生不同程度的谐波电压污染电网。2.4需要较大的设备安装和运行工作位置,即占地面积很大。2.5反应速度快,^40mso三、调压式动态补偿装置:1、原理:主要由电压调节器,微机控制器,电力电容器组成。1.电界器组开关2.电压调节器3.避雷器4.并联电界器5.放电线圈采用电压调节器来改变电容器端部输出电压,根据Q=2itfCU2改变电容器端电压来调节无功输出,从而改变无功输出容量来调节系统功率因数,目前生产的装置可实现容量从(1

6、00-36)%分九级输出2、技术特点:2.1、该装置为分级补偿方式,容易产生过补、欠补。2.2、调压式补偿的调节范围仅36%—100%,当需要的补偿容量较小时会出现明显过补,造成电压波动。2.3、调压变压器分接头容易产生弧光而烧毁,可靠性差。2.4、由于调压变压器的分接头开关为机械动作过程,响应时间慢(4s),无法及时跟踪系统无功变化和电压闪变,补偿效果差。2.5、在调压过程中,电容器频繁充、放电,极大影响电容器的使用寿命。2.6、有载调压变压器油容易裂解,运行维护成本高。2.7、由于有载调压变压器的阻抗,滤波效果差。、TSC型动态补偿:1、原理:利用串

7、联晶闸管代替真空接触器作为投切开关,对无补偿进行离散式调节。2、技术特点:2.1、晶闸管串联在高压回路,容易被击穿。2.2、正常运行时晶闸管承受高电压、大电流,发热量非常大,需要辅助冷却设备和大量的维护工作。2.3、为离散式调节,容易产生过补和欠补,同时引起电压波动2.4、需要对滤波支路进行自动投切,虽然能调节无功功率的补偿容量,但必然影响滤波效果。五、真空开关投切电容器组(GWK型):1、原理:利用对系统无功功率的取样,自动控制开关分组投切电容器,其调节方式是离散式的,容易过补和欠补。2、技术特点:2.1:幵关投切时产生的涌流约在10倍以上,威胁设备的

8、安全。2.2:为离散式调节,容易产生过补和欠补,同时引起电压波动。2.3:需要对

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