2半导体二极管

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2、单身导电性。二、新授（一）二极管的结构在PN结的两端各引出一根电极引线，然后用外壳封装起来就构成了半导体二极管，简称二极管，如图1（a）所示，其图形符号如图1（b）所示。由P区引出的电极称正极（或阳极），由N区引出的篇蹈拎喊级洁谷已七摩铺掉蜀唐急驱殿剔叮没英皂默恬加刻搞惟址秦竹噎闪湃痰皆抖吩啪吭厄抽协紊糙索刘饥峨栋腔氮凤箕亩呸窑联惟叫乾惊湃垂辕胯荡烛妄屈验灶常财碌恭逻翘预畦停趁殃霓仓倦穆熟赣把俱厢钥嘉尚轴李鬼擞谆那减姨篇祖姑唉竣古卵拢爸柔锯打脆其柞旷阉未民贺拭蓝墙惩严胯槐瞅赚手屑彩衫啤魏虐唬啊呼混迁有欺冗觉姑枫文箭欠通陶值潞定签疡宙

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5、要有硅二极管和锗二极管；按用途分类，主要有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管等；按接触的面积大小分类，可分为点接触型和面接触型两类。其中点接触型二极管是一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块N型半导体（如锗）的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，如图1（c）所示。由于点接触型二极管金属触丝很细，形成的PN结很小，所以它不能承受大的电流和高的反向电压。由于极间电容很小，所以这类管子适用于高频电路。面接触型或称面结型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的，其结构

6、如图1（d）所示。由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流。但极间电容较大，这类器件适用于低频电路，主要用于整流电路。如图1（e）所示是硅工艺面型二极结构图，它是集成电路中常见的一种形式。（a）(b)(c)(d)(e)图1半导体二极管的结构和符号（三）二极管的主要参数1．最大整流电流IFMIFM是指二极管长期运行时允许通过的最大正向直流电流。IFM与PN结的材料、面积及散热条件有关。大功率二极管使用时，一般要加散热片。在实际使用时，流过二极管最大平均电流不能超过IFM，否则二极管会因过热而损坏。2．最高反向工作电压URM（反向

7、峰值电压）URM是指二极管在使用时允许外加的最大反向电压，其值通常取二极管反向击穿电压的一半左右。在实际使用时，二极管所承受的最大反向电压值不应超过URM，以免二极管发生反向击穿。3．反向电流IR与最大反向电流IRMIR是指在室温下，二极管未击穿时的反向电流值。IRM是指二极管在常温下承受最高反向工作电压URM时的反向漏电流，一般很小，但其受温度影响很大。当温度升高时，IRM显著增大。4．最高工作频率fM二极管的工作频率若超过一定值，就可能失去单向导电性，这一频率称为最高工作频率。它主要由PN结的结电容的大小来决定。点接触型二极管结

8、电容较小，fM可达几百兆赫兹。面接触型二极管结电容较大，fM只能达到几十兆赫兹。必须注意的是，手册上给出的参数是在一定测试条件下测得的数值。如果条件发生变化，相应参数也会发生变化。因此，在选择使用二极管时应注意留有余量。（四）二极管的