中频炉原理结构

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1、感应熔化系统的发展演变INDUCTOTHERMINDUCTOTHERM感应熔化系统的基本结构整流部分交流电经过整流变成直流电，直流能量被储存逆变部分直流电经过逆变器变成所要求频率的交流电炉体部分交流电供给炉体部分恒定的直流电流在直流部分流动交流电整流变成直流电，直流能量储存在电抗器中炉体线圈和电容器并联连接INDUCTOTHERM电流反馈并联逆变器恒定的直流电压供给逆变器交流电经过整流变成直流电，直流能量储存在电容器中炉体线圈和电容器串联连接INDUCTOTHERM电压反馈串联逆变器INDUCTOTHERM能量储存电流反馈逆变器整流部分直流

2、电抗器短接回路逆变器电容器炉体线圈启动回路直流能量储存在电抗器中，是一种动能这种能量形式类似于飞轮停止的飞轮是没有动能的，除非消耗能量让它转动要想让它停下来也必须消耗能量$$$INDUCTOTHERM能量储存电压反馈逆变器整流部分滤波电容器逆变器炉体线圈直流能量储存在电容器中，是一种势能，当电源合闸时电容器立即被充电电容器INDUCTOTHERM并联连接线路串联连接线路INDUCTOTHERMCONTROLLABILITY电流反馈并联逆变器70--80%的线圈电流在感应线圈和电容器之间流动，这部分线圈电流是不可控的只有20--30%的线圈电

3、流流过可控硅逆变器只能控制20—30%的线圈电流70–80%20–30%INDUCTOTHERMCONTROLLABILITY电流反馈并联逆变器V1V1V1并联线路中，感应线圈、电容器、逆变器上的电压是相同的为了调节0---70~80%的功率，必须通过改变直流电压来改变功率V2V2V2DCV1DCV2INDUCTOTHERM可控制性电流反馈并联逆变器12341.启动逆变器4.短接回路用于直流能量通过电抗器释放3.通过改变整流桥的移相角改变直流电压来控制70–80%功率2.逆变器控制20%--30%的线圈电流电流反馈并联逆变器有4个控制点I

4、NDUCTOTHERM可控制性电压反馈串联逆变器在串联线路中100%的线圈电流流过逆变器，逆变器可完全控制电流的变化100%INDUCTOTHERM可控制性电压反馈串联逆变器串联线路中感应线圈和电容器串联连结起到分压作用逆变器上的压降V2只占感应线圈电压V1的20%--30%V1V2INDUCTOTHERM可控制性电压反馈串联逆变器1逆变器控制简单、可靠、反应速度快电压反馈串联逆变器只有一个控制点INDUCTOTHERM可控硅是由其KVA来定义的–电流X电压可控硅是一种电流控制器件由于过电压而损坏可控硅的几率远远大于由于过电流损坏可控硅的几

5、率INDUCTOTHERM可控硅是由KVA值–电流X电压来定义的并联线路中可控硅处于高电压小电流的工作状态在串联线路中可控硅处于低电压大电流的工作状态INDUCTOTHERM功率线圈电压逆变电压TIME0MAXIMUM逆变电流线圈电流TIME0MAXIMUM串联线路并联线路?INDUCTOTHERM感应电流每一个料块表面产生感应电流二次回路的感应电流每一个接触点都具有高的电阻值INDUCTOTHERM熔化效率留量熔炼和批量熔炼100908070熔化效率%TIME频率改变的影响INDUCTOTHERM100Hz200Hz500Hz1000Hz

6、50Hz1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1000kW4Tonne1250kW4Tonne2000kW4Tonne3000kW4Tonne4000kW4Tonne1000kW3Tonne1000kW2Tonne1000kW1.5Tonne1000kW1Tonne提高频率增大功率减小炉体容量INVERTERTECHNOLOGYINDUCTOTHERMINDUCTOTHERMIGBT-SCR每个IGBT需要两个触发模块一个控制开通，一个控制关断INDUCTOTHERMIGBT-SCR

7、INDUCTOTHERMIGBTINDUCTOTHERMIGBT-SCR功率Power-Trak其他额定容量可控硅数量/触发电路IGBT数量/触发电路1,000228161,5004412242,0006616322,5008820403,000882448功率Dual-Trak其他额定容量可控硅数量/触发电路IGBT数量/触发电路1,0004416241,5008824482,000121232642,500161640803,00016164896INDUCTOTHERM逆变开关器件可控硅60Hz--10kHz熔化加热高频加热MOSFE

8、T30kHz--1MGHz能量储存量频率IGBT3kHz--50kHzINDUCTOTHERM短路保护INDUCTOTHERM功率因数串联线路和并联线路比较功率大小1020304