国产晶硅平板pecvd设备优势

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1、国产晶硅平板PECVD设备的优势pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。国产晶硅平板PECVD设备的优势王宝全博士2010年5月SNEC展台位置：W2馆T2136晶硅平板PECVD设备的技术优势北方微电子开发平板PECVD设备的机遇ESSINDTMPECVD设备的竞争优势confidential晶硅平板PECVD设备的技术优势北方微电子开发平板PECVD设备的机遇ESSINDTMPECVD设备的竞争优势confidentialPECVD设备在晶硅太阳能电池制程中的应用PECVD（

2、等离子体增强化学气相沉积）是利用等离子体特性来控制或影响气相反应和材料表面的化学反应过程，并在适当的温度（从室温到500℃）下沉积薄膜。晶体硅太阳能电池制程预处理制绒镀膜PECVD烧结电极印刷刻蚀扩散PECVD设备用于制备SiNx膜钝化特性制备SiN减反射特性confidential短路电流电池效率开路电压PECVD设备类别设备结构上划分平板式管式沉积原理上划分直接法间接法PlasmaSourceSiH4、NH3平面载板镂空碳框石墨舟平面载板石墨舟功能分布于不同腔室气体利用率高自动化程度高生产效率高自动装卸片易实现设备维护

3、繁琐功能集中于同一炉管气体利用率低自动化程度低生产效率低自动装卸片不易实现设备维护简单膜质致密表面钝化体钝化沉积速率低膜质疏松表面钝化沉积速率高平板式直接法PECVD可较好地满足产业发展需要confidentialESSINDTMPECVD的技术规格项目产量膜厚均匀性折射率均匀性折射率沉积速率成膜温度反应气体指标>1950片/时(125*125mm2);>1320片/时(156*156mm2)片内<3%,片间<5%,批间<5%片内<1%,片间<1.5%,批间<1.5%2.0~2.220~30nm/min200~450oC连

4、续可调SiH4、NH3、N2装载预热腔?大气-真空?预热工艺腔?等离子体沉积冷却卸载腔?真空-大气?冷却装片台?摆放硅片卸片台?取走硅片……。预热……。工艺冷却载板返回confidential平板PECVD设备的关键技术大面积成膜均匀性气流场?电场?温度场可维护性大角度开盖?快速冷却?延长PM时间?易操作?完善的安全保护设计?先进工艺控制和分析?自诊断?工厂数据接口?降低单位能耗?提高工艺气体利用率腔室结构上、下电极结构?热设计?真空传动?高效传输系统?自动装卸片的集成?载板自动返回软件及控制系统自动化节能降耗技术开发平板

5、PECVD设备是一项具有较大挑战性的工作confidential晶硅平板PECVD设备的技术特点北方微电子开发平板PECVD设备的机遇ESSINDTMPECVD设备的竞争优势confidential太阳能电池生产厂对大型设备供应商能力的评估要素产品战略具有清晰长远的战略规划资金基础具有雄厚的资金基础人才团队具有稳定高素质的专业技术团队行业经验具有微电子高端设备行业经验管理水平具有正规的企业管理水平研发平台具有专业的检测评估手段服务能力具有专业水准的服务培训能力confidential产品战略12”90nm刻蚀机研发成功12

6、”65nm刻蚀机生产线DEMO12”45nm刻蚀机生产线DEMO12”45nmPVD生产线DEMO2003200420052006200720082009201020112012开始研发8”刻蚀机8”刻蚀机生产线DEMO8”刻蚀机实现销售8”刻蚀机销售第三客户晶硅太阳能自动化解决方案8”刻蚀机销售第二客户晶硅太阳能PECVD进入生产线RIE制绒设备开发完成愿景：成为全球知名的半导体、光伏和显示照明领域的高端设备提供商。confidential资金基础股东构成北京电子控股有限公司中科院微电子研究所清华大学北京大学中科院光电技

7、术研究所北京圆合电子技术公司北京七星华电科技集团国家项目十五期间承担了863“100nm高密度等离子刻蚀机”项目，总投资2.6亿元；目前承担国家科技重大专项“90/65nm刻蚀机研发与产业化”项目和“65-45nmPVD设备研发”项目，总投资10.85亿元。产品销售8英寸等离子体刻蚀机12英寸等离子体刻蚀机晶硅太阳能平板PECVDLEDICP刻蚀机自动化设备12英寸PVD薄膜太阳能PVDRIE制绒设备confidential人才团队人才背景等离子体技术高频交流电精密机械设计自动化系统控制软件开发本科现有员工总数：其他218

8、人博士海外专家15人、博士13人、硕士142人11%6%人才来源半导体业优秀技术专家/管理精英半导体业海外归国人才/外籍专家设备业丰富经验研究人员全国重点高等院校优秀毕业生18%65%硕士硕士以上员工比例为64%71%confidential行业经验掌握的关键技术：掌握的关键技术：反应腔室设计、高真空技