可靠性物理内容简介

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1、内容简介内容简介本书是“电子元器件质量与可靠性技术”从书之一，较全面地论述并介绍了电子元器件可靠性物理的基础知识和失效分析技术。全书分为四个部分。首先阐述了电子元器件失效分析中的理论基础，包括有关原子物理学、材料学、化学、冶金学及元器件的基本工作原理，介绍了与元器件失效相关的制造工艺和技术；第二部分论述了失效的物理模型，介绍了失效分析程序、常用的失效分析方法和技术，以及用于失效分析的较先进的微理化分析技术；第三部分结合具体的元器件：微电子器件、阻容元件、继电器及连接器、光电子器件和真空电子器件，以及元器件的引线和电极系统的失效模式和失效机理加以剖析，提出了提高电子元器件可靠

2、性的措施。最后阐述了元器件静电放电失效的原理和防护；元器件的辐射效应和抗辐射加固技术。本书供从事各类电子元器件的研制、生产和使用的科技人员、管理人员、质量和可靠性工作者学习与参考，也可供高等学校电子、电工、光电子、真空电子、材料和信息类等相关专业的师生阅读。图书目录绪论0.1信息时代与电子元器件0.1.121世纪是信息时代0.1.2信息技术的发展趋势0.1.3电子元器件的发展0.2电子元器件的质量和可靠性0.2.1一代器件、一代整机、一代装备0.2.2电子元器件的定义0.2.3电子元器件可靠性物理研究的内容0.2.4电子元器件的质量和可靠性第1章电子元器件的理论基础1.1固

3、体及半导体导电理论简介1.1.1晶体的基本类型1.1.2晶体的结构1.1.3晶体的能带结构1.1.4n型和p型半导体1.1.5载流子的漂移与扩散1.1.6金属热电子发射和接触电势差1.2基础元件1.2.1电阻器1.2.2电感器1.2.3电容器1.3pn结1.3.1pn结的空间电荷区1.3.2pn结的伏安特性1.3.3pn结的势垒电容和扩散电容1.3.4pn结的击穿1.4晶体三极管1.4.1半导体晶体管的发明1.4.2双极（型）晶体管的静态特性1.4.3双极晶体管的频率特性1.5半导体表面概论1.5.1半导体表面效应1.5.2功函数和氧化层电荷1.6mos场效应晶体管（mos

4、fet）1.6.1mos晶体管的工作原理1.6.2mos晶体管的电流电压方程1.7半导体的光-电子学效应1.7.1内光电效应1.7.2外光电效应1.7.3受激发射1.8真空电子器件基础1.8.1什么是电子1.8.2自由电子在静电场中的运动1.8.3电子在磁场中的运动1.8.4电子在复合电场和磁场中的运动1.9相图1.9.1一元相图1.9.2二元相图1.9.3共晶相图1.9.4包晶反应及其他反应1.10金属膜及金属化层1.10.1金属膜的电阻1.10.2金属—绝缘体（膜）接触1.10.3金属—半导体的欧姆接触习题与思考题笫2章电子元器件的技术基础2.1平面工艺与集成电路2.1

5、.1硅平面型晶体管2.1.2硅平面工艺的特点2.1.3集成电路的出现2.1.4mos晶体管在大规模集成电路中的重要地位2.1.5微电子工艺技术2.2氧化工艺2.2.1sio2膜的特性2.2.2热生长氧化膜制备2.2.3氧化层错2.3刻蚀技术2.3.1刻蚀工艺流程2.3.2抗蚀剂2.3.3曝光技术2.3.4显影工序2.3.5套刻容差2.3.6刻蚀技术2.3.7干法刻蚀工艺的比较2.4扩散法掺杂技术2.4.1微电子技术对掺杂的要求2.4.2固体中的扩散模型和杂质分布2.4.3扩散系数和扩散机制2.4.4微电子技术中的扩散方法2.4.5测量技术2.5离子注入掺杂技术2.5.1离子

6、注入深度和注入浓度分布2.5.2离子注入设备2.5.3注入损伤和退火2.5.4离子注入层的检测2.5.5离子注入与扩散法掺杂工艺的比较2.6晶体外延生长技术2.6.1外延工艺的作用2.6.2外延设备和反应室中的工作状态2.6.3外延的基本原理2.6.4外延掺杂和杂质浓度分布2.6.5外延缺陷及降低缺陷的方法2.6.6其他外延生长技术2.7表面薄膜气相淀积技术2.7.1物理气相淀积（pvd）技术2.7.2化学气相淀积（cvd）技术2.7.3台阶的覆盖问题2.7.4淀积方法的比较2.8清洁处理2.8.1表面污染及来源2.8.2清洁处理方法的分类2.8.3等离子清洗2.9双极集成

7、电路制造工艺2.10cmos集成电路制造工艺2.11低压气体放电和等离子体2.11.1自持放电2.11.2等离子体的产生方法2.11.3气体放电中的物理和化学现象2.12腐蚀2.12.1原电池的电极和电极反应2.12.2电极电势2.12.3电解2.12.4金属的腐蚀和钝化2.12.5原电池的电化学腐蚀2.12.6金属迁移习题与思考题第3章电子元器件失效的物理模型3.1失效与环境应力3.1.1失效的定量判据3.1.2失效的分类3.1.3环境应力与失效3.1.4环境保护设计3.1.5材料的结构与失效3.2失效物理模型3