powermosfetic的结构与电气特性

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时间:2018-11-10

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1、PowerMOSFETIC的結構與電氣特性PowerMOSFETIC(以下簡稱為MOSFET)廣泛應用在各種電源電路與汽車等領域,雖然最近幾年MOSFET在高速切換(switching)與低ON阻抗化有相當的進展,不過一般認為未來MOSFET勢必會朝高性能方向發展,因此本文要介紹MOSFETIC的構造、電氣特性,以及今後技術發展動向。MOSFETIC的構造圖1是NchannelPowerMOSFETIC的斷面構造,本MOSFET的gate與source之間,亦即gatepad的周圍設有可以防止靜電破壞的保護二極體,因此它又稱為bodydiode。馬達驅動電路與斷電電源供應器(UPS)等DC-A

2、C轉換inverter等應用的場合,保護二極體可以充分發揮它的特性。圖1PowerMOSFETIC的構造圖2是MOSFET的結構分類,由圖可知MOSFET結構上可以分成縱型與橫型兩種type;縱型type還分成平板(planer)結構與溝槽(trench)結構兩種。表1是上述結構特徵與主要用途一覽。 圖2PowerMOSFETIC的分類 構造 縱型 橫型 區分 低耐壓(100V以下)高耐壓(planer)低耐壓高耐壓 特性 planer trench 耐高壓化 - -◎ - △ 低ON阻抗化 ○ ◎△ △ - 低Ciss(低Qg) ○ ○○ ◎ ◎ 低Crss(低Qgd) ◎ ○○  ◎ ◎ 

3、特徵 高耐壓、低電流 高速、高頻 用途‧DC-DCconverter‧驅動小型馬達‧汽車電機‧AC-DCswitching電源‧UPS電源‧inverter‧RF增幅輸出(行動電話)數百MHz~數GHz‧高頻電力增幅(基地台設備)表1PowerMOSFET的構造與用途‧縱型構造縱型構造適用於高耐壓/低ON阻抗MOSFET,目前中/高耐壓(VDSS=200V)的MOSFET大多採用縱型結構。雖然部份低耐壓(VDSS=100V)的MOSFET也使用縱型結構,不過一般要求低容量、高速switching特性的場合,平板(planer)結構比較有利;要求低ON阻抗特性時,則以溝槽(trench)結構比較

4、適合。最近幾年製程與加工設備的進步,溝槽結構的MOSFET在低容量化(低Qg,Qgd化)有相當的進展,因此從應用面觀之縱型與溝槽結構的MOSFET,兩者的低容量化特性已經沒有太大差異。如上所述縱型結構的MOSFET具備高耐壓、低ON阻抗、大電流等特徵,所以適合當作switching元件使用。 ‧橫型構造橫型構造最大缺點是不易符合高耐壓/低ON阻抗等要求,不過它低容量特性尤其是逆傳達容量(歸返容量)Crss非常小。如圖2(b)所示,gate與source之間的容量被fieldplate遮蔽(shield),因此結構上非常有利。不過橫型構造的cell面積很大,單位面積的ON阻抗比縱型構造大,因此一

5、般認為不適合switching元件使用,只能當作要求高速/高頻等高頻增幅器常用的輸出控制元件(device)。‧今後發展動向橫型構造比較適用於低耐壓switching元件,主要應用例如驅逐CPUcore的VR(VoltageRegulator)等等。一般認為VR未來會朝向0.8V/150A方向發展,此外為支援遽變負載可作高速應答,例如電流站立應答di/dt=400A/μs的速度特性,未來勢必成為必備條件之一。由於低電壓化需求必需抑制電壓幅寬,相對的電壓變動容許值必需低於數十mA以下,然而複數電容並聯的結果,卻造成電路基板變大等困擾,有效對策是提高電源switching的頻率,也就是說目前200

6、~300kHz的動作頻率,未來勢必將會被2~5MHzCPU驅動用VRB((VoltageRegulatorBlock)取代。此外基於高頻領域的動作性等考量,結構上比較有利的橫型構造則被納入檢討。由於橫型構造屬於source-source,因此要求高速性的highsideswitch已經採用橫型構造,lowsideswitch(整流用)則利用縱型結構將晶片堆疊在同一stem,藉此消除導線電感(inductance)進而形成高性能MOSFET元件。MOSFETIC的應用圖3是MOSFETIC主要用途與今後發展動向一覽;橫軸是元件的耐壓值VDSS,縱軸是元件應用上的動作頻率。 圖3PowerMOSF

7、ETIC用途與發展趨勢(一).電源系統電源系統要求MOSFETIC具備省能源(energy)、高效率、輕巧、小型、低噪訊(noise)、低高頻電流、高可靠性,以及高速負載應答(峰值負載電流)等特性。在switching電源中,進展最快速的是DC-DCconverter與驅動CPU的VR,尤其是驅動CPU的VR,除了低電壓化/大電流化之外,今後更要求小型/高速化(高化),因此動作頻率(控制IC的PW

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