等离子清洗机和等离子表面处理系统plasmawideflux-s价格

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3、理系统PlasmaWideFlux-S和等离子增强PECVD沉积设备SI500PPD价格库号:JX164068价格:百度搜【润联网】查询登录“润联网”可查找底价http://www.runlian365.com『润联网』登录【润联网】查询价格主要技术参数:离子蚀刻机10-M/NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径6英寸X1片样品台直接冷却,单独冷却离子源10cm考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点:1.干式制程的微细加工装置,使得在薄膜磁头,半导体元件,MRsensor等领域的开发研究及量产得以广泛应用

4、。2.物理蚀刻的特性,无论使用什么材料都可以用来加工,所以各种领域都可以被广泛应用。3.配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4.射频角度可以任意调整,蚀刻可以根据需要做垂直,斜面等等加工形状。5.基板直接加装在直接冷却装置上,所以可以在低温环境下蚀刻。6.配置公转自转传输机构,使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7.机台设计使用自动化的操作流程,所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:离子蚀刻机和等离子表面处理系统CUTE-MP参数库号:JX164069价格:百度搜【润联网】查询主要技术参数:仪器简介:在过去的几年中,半导

5、体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了追求晶片更高的运算速度与更高的效能,三十多年来,半导体产业遵循著摩尔定律(Moore’sLaw):每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增,持续地朝微小化努力。为继续摩尔定律,在此期间,与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展,科学家提出各种解决方案如:图形曝光(光刻)技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中,图形曝光技术(微影术)是微电子制造技术发展的主要推动者,正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高,促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。电子束曝光

6、系统(electronbeamlithography,EBL)是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近,美国JCNabityLithographySystems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置(NanometerPatt标题:扫描电子束曝光系统和激光无掩膜光刻机LW405价格库号:JX164070价格:百度搜【润联网】查询登录“润联网”可查找底价http://www.runlian365.com『润联网』登录【润联网】查询价格主

7、要技术参数:离子蚀刻机20-M/NS-8NS适合中等规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径3英寸X8片直径4英寸X6片基台直接冷却样品台20cm考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点:1.干式制程的微细加工装置,使得在薄膜磁头,半导体元件,MRsensor等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2.物理蚀刻的特性,无论使用什么材料都可以用来加工,所以各种领域都可以被广泛应用。3.配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4.射频角度可以任意调整,蚀刻可以根据需要做垂直,斜面等等加工形状。5.基板直接加装在直接冷却装置上,所以可

8、以在低温环境下蚀刻。6.配置公转自转传输机构,使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7.机台设计使用自动化的操作流程,所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:小型等离子增强PECVD沉积设备和原子层沉积系统PE-ALD价格库号:JX164071价

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