模拟集成电路设计与分析复习

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1、第二章MOS的分类：1）载流子类型；2）按工作机制。MOS结构：纵向结构；横向结构；四个电极。MOS正常工作的条件：所冇衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏，为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常p型衬底应接电路屮最高电位，n型衬底应接电路中最低电位。工作原理I-V特性W/lConttintW/LConstant»oConstant由于饱和区跨导大，一般用饱和区的MOS管做信号放大。二级效应❖体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性1）体效应VSB^0体效应：+Z（V2Of+7^-a/2O7）Y=Pq》N'VTH0=VFB+2Of令OXo

2、x）（饱和区）2沟道调制效应：办二圣/JnCox^（Vgs-Vth）\+^VDS}3）亚阈值导电性：导致信息的丢失。MOS大信号和小信号模型.大信号模型用于直流特性分析信号模型❖信号相对于直流偏置工作点而言比较小、不会显著影响直流工作点时用该模型简化计算4.小信号参数小信号电阻4.阈值电压1.电阻做负载的共源级，增益Av为A'=~Sm^D2.二极管接法做负载的共源级增益Av为加’丄gjfi2^~gjfib2gm21+7/3.级髙増益，鵬性好不^幅受-4.共源级、源跟随器、共栅极的电路结构第四章1.理想、对称的差分放大器，全差分输入的增益为1

3、、单边输入时差模增益为-gmRD2、差分输入时差模增益为-&Rd3、单边输入单端输出时增gmRD/2存在共模增益，因为存在非理想性：Ml和M2之间有失配（W/L、VTH等），RD1和RD2之间有失配（阻值不完全相等等）；尾电流源Iss的内阻RsS不周无穷大^Oul1%rQrO2

4、（共源级）2个例题电阻做负载的差分放大级4.共源共栅电鞠共栅级输入阻抗