02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管

02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管

ID:24772501

大小:1.49 MB

页数:46页

时间:2018-11-15

02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管_第1页
02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管_第2页
02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管_第3页
02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管_第4页
02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管_第5页
资源描述:

《02第1章 常用半导体器件--pn结及二极管》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、模拟电子技术基础北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院主讲:赵建辉第一章常用半导体器件(1)7/2/20211.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3双极性晶体管1.4场效应管1.5单结晶体管和晶闸管1.6集成电路中的元件第1章常用半导体器件本节课内容7/2/20211.1半导体基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3PN结重点:PN结原理、伏安特性及电流方程。难点:1.两种载流子及其运动2.PN结的形成3.PN结单向导电性重点难点7/2/2021导体自然界中容易导电的物质称为导体,如金、银、铜、铝等金属(p=)。绝缘体有的物质几乎不导电,称

2、为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。导体、半导体与绝缘体本质:决定于原子结构(最外层电子分布)一、半导体7/2/2021半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:热敏/光敏特性。当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。如制作CCD/CMOS光电耦合器件等(优点),受温度变化影响大(缺点)。掺杂特性。往纯净的半导体中掺入某些杂质,使它的导电能力明显改变。如制作二极管、三极管器件(优点),但是温度敏感(缺点)。半导体特性可控性。外电

3、压控制(单向导电、放大)。7/2/20211.1.1本征半导体二、本征半导体的原子结构GeSiSi纯净的具有晶体结构的半导体为本征半导体。纯度:99.9999999%(简称9个9)。常用材料是硅和锗。Ge最外层电子分布最外层电子(价电子)都是四个(共价键)。7/2/2021纯净半导体通过一定工艺过程,可制成单晶体(本征半导体)。每个原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电子,结构稳定。本征半导体晶体结构正方体晶格点阵本征半导体平面结构示意图7/2/2021三、本征半导体的两种载流子自由电子空穴束缚电子本征激发:在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能

4、量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,带负电,同时共价键上留下一个空位,称为空穴,带正电。本征激发(自由电子/孔穴)?问题:整个半导体电性(空穴—自由电子成对出现或者消失)视频7/2/2021本征半导体的导电机理两种载流子:自由电子和空穴均参与移动(导电)。电子移动形成电子电流。空穴移动形成空穴电流。移动方向相反,电流方向相同。本征半导体电流为二者之和。本征半导体的导电能力很弱(原因:本征激发少)。+4+4+4+4两种载流子导电机理视频7/2/2021典型值:T=0K,浓度0,相当于绝缘体。T=300K(室温),硅:1010量级(硅原子:1022量级)一定温度下,

5、本征激发与复合动态平衡,载流子浓度一定。且电子与空穴的浓度相等:本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。四、本征半导体中载流子浓度载流子的浓度与环境密切相关。温度大浓度大本征半导体的导电能力越强。优点:(热敏/光敏器件)缺点:(温度稳定性差原因,电子线路环境温度问题)7/2/2021扩散(掺杂)杂质半导体导电性能显著变化。原因:掺杂引起半导体某种载流子浓度大大增加,与掺杂浓度相关。P型半导体(空穴半导体):空穴浓度大大增加。N型半导体(电子半导体):自由电子浓度大大增加。1.1.2杂质半导体根据掺杂物质不同分为2种:7/2/2021一、N型半导体在纯净半

6、导体晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体中的某些半导体原子被杂质原子取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,常温下很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子(施主原子)。+4+4+5+4磷原子(施主原子)自由电子自由电子为多子(同杂质浓度),空穴为少子N型半导体中的多数载流子(少子)是什么?7/2/2021P型半导体在纯净半导体晶体中掺入少量的3价元素硼,晶体中的某些半导体原子被杂质原子取代,硼原子的最外层有3个价电子,与相邻的半导体原子形成共价键时,产生一个空位

7、(电中性),这个空位很容易吸附电子形成新的空穴,这样硼原子就成了不能移动带负电的离子(受主原子)。空穴为多子(同杂质浓度),自由电子为少子P型半导体中的多数载流子(多子)是什么?+4+4+3+4空穴(多子)硼原子(受主原子)7/2/2021杂质半导体的示意表示法------------------------P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质半导体中,多子和少子的移动都能形成电流。多子:掺杂形成,浓度与杂质浓度相等。起主导电作用。少子:本征激发形成,浓度底,温度敏感,影响器件性能。7/2/2021掺入杂质对本征半导体的导电性

8、有很大的影响(相对本征激

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。