生产实习报告参考模板

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1、生产实习报告系（部）：电子信息系专业：电子信息工程班级：B060301学号：B06030101姓名：曹磊指导教师：石现峰实习题目：EasyARM2103嵌入式开发板的组装及调试实习地点：电子实验室教务处印制2009年7月17日指导教师填阅指导教师鉴定：实习报告成绩：指导教师签名：时间：年月日EASYARM2103开发板的组装及调试1前言ARM技术及EASYARM2103开发板简介ARM是AdvancedRISCMachines的缩写，它是一家微处理器行业的知名企业，该企业设计了大量高性能、廉价、耗能低的RISC（精简指令集）处理器。EasyARM2

2、103开发板是广州周立功公司面向在校师生而研发的一款嵌入式开发套件，具有极高的性价比，配套提供详细的教材和大量完整的设计方案，适用于学习、竞赛和毕业设计多层次开发。EasyARM2103开发板采用了NXP公司基于ARM7TDMI-S核、LQFP48封装的LPC2103芯片，具有JTAG仿真调试和ISP编程功能。2实习目的1．非常重要的实践教学环节2．培养理论知识与生产实际相结合的能力3．了解单片技术4．锻炼实际动手能力，掌握电子线路焊接、装配的基本技能5．了解并掌握本专业软硬件设计的一些基本问题3实习时间，及进程安排8月22日~8月23日：理论学习

3、及讲座阶段上午讲座下午及课外时间进行资料收集、查找及学习8月24日：发放元器件，进行焊接准备8月25日~8月26日：硬件焊接及组装，及硬件调试8月27日~9月2日：参考硬件电路绘制原理图及PCB绘制，参照例程学习软件程序设计9月2日~9月9日：总结报告及验收、答辩4实习地点电子实验室5实习单位、部门、地点实习单位西安工业大学北方信息工程学院实习部门电子信息系实习地点电子实验室（注意：红色部分可照写）6实习内容：一、关键技术介绍1.ARM处理器LC2103的介绍①16/32位ARM7TDMI-S处理器，极小型LQFP48封装；②8kB的片内静态RAM

4、，32kB的片内Flash程序存储器；③128位宽的接口/加速器使其实现了70MHz的高速操作。④通过片内Boot-loader软件实现在系统/在应用编程(ISP/IAP)⑤10位的A/D转换器含有8个模拟输入，每个通道的转换时间低至2.44μs⑥2个32位的定时器/外部事件计数器，具有7路捕获和7路比较通道⑦多个串行接口，包括2个UART(16C550)，2个快速I2C总线(400kbits/s)以及⑧带缓冲和可变数据长度功能的SPI和SSP⑨多达32个可承受5V的通用I/O口⑩高达13个边沿或电平有效的外部中断管脚2.LDO器件的介绍LDO即英

5、文lowdropoutput。低压差线性稳压器LDO，这种电源芯片的压差可以低至0.2v～1.3v可以实现5v转3.3v／2.5v、3.3v转2.5v／1.8v等要求。LDO的工作原理是通过负反馈调整MOSFET的输出电流以使输出电压不变。其特点是成本低，噪音小。缺点是效率低，输出电流小，只能用在降压的场合。参数是压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比（PSRR）、静态电流Iq。3.去耦电容的介绍去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器

6、稳定工作。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来

7、的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。4.JTAG介绍JTAG是英文“JointTestActionGroup（联合测试行为组织）”的词头字母的简写，JTAG也是一种国际标准测试协议（IEEE1149.1兼容），主要用于芯片内部测试。现在多数的高级器件都支持JTAG协议,如DSP、FPGA器件等。标准的JTAG接口是4线：TMS、TCK、TDI、TDO,分别为模式选择、时钟、数据输入和数据输出线。相关JTAG引脚的定义为：TC

8、K为测试时钟输入；TDI为测试数据输入，数据通过TDI引脚输入JTAG接口；TDO为测试数据输出，数据通过TDO引脚从JT