纳米氧化锌制备

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1、《材料现代制备方法》课程论文姓名:谢雷雨学号:2012010357班级:材料科学与工程1202教师:王小艳2014年12月8日1气-固-液法(VLS法)制备纳米ZnO利用高温物理蒸发或有机金属化合物的气相反应,通过气体传输,可使反应物沉积到低温衬底上并生长为一维结构,生长过程一般遵循Wagner和Ellis提出的VLS生长机理,这是传统的生长一维材料的方法。在纳米线生长过程中,先形成催化剂金属(金、银等)与纳米材料的低共熔合金液滴,此液滴吸收气相反应物形成晶核。液滴中反应物饱和时,纳米线开始生长,系统冷却后,合金液滴固化在纳米线的顶端(图1)。Pe

2、idongYang等基于VLS催化生长机制,用简单的化学气相输运和凝缩的方法合成了ZnO纳米线。通过控制催化剂合金团簇或金薄膜的起初位置和厚度分别来控制ZnO纳米线阵列的位置和纳米线的直径。在不同的气源条件下,还获得了由ZnO纳米线组成的各种形貌,如梳状结构、线阵列等(图2)2气相生长法制备纳米ZnO气相法的原理是利用蒸汽压较大的材料,在适当的条件下,使其蒸汽凝结成晶体的方法,适合于生长板状晶体。实验装置如图3,Wang.Y.W等将含有合金纳米颗粒的锌粉装在氧化铝舟中,盖上石英片,放入管式炉中央,在氩(90%)、氧(10%)气氛快速加热到900℃,保持10mi

3、n后,冷却至室温,可制得直径30-60nm的ZnO纳米线。生长时,原料区的温度控制于800-1150℃,生长区和原料区的温度差控制于20-200℃,常用的输运载体为HCL、Cl2、NH3、NH4Cl.、HgCl2、H2、Br2、ZnCl2等。1999年,J.M.Ntep等在H2或Ar中加入微量的H2O作为ZnO升华的催化剂生长ZnO单晶。一年以后,他们所在的实验室又用Cl2和C作传输载体制得了厘米量级的质量很好的纳米单晶(图4)。2003年,H.Z.Zhang等用气相法在玻璃衬底上合成了c轴择优生长的氧化锌纳米棒,系统压强0.001-0.008MPa,氩气流速

4、140-150sccm,锌源和玻璃衬底温度分别为500℃、370℃反应持续时间10min,所得纳米棒分布均匀(图5),每个纳米棒都由头部、体、底部三部分组成,沿[001]取向生长,直径约240nm,高度约400nm。分析光致发光谱(PL),发现纳米棒阵列在3.3eV有较强的紫外-可见发射峰(UV)和一个较宽的绿光发射,有效促进紫外-可见发射器的进一步发展。同年,Y.J.Xing等用Zn/ZnO混合物,Si(5*20)作衬底,压强300toor,在氩保护气(40sccm)中,温度700℃下,有效合成了氧化锌纳米管(图6)。此纳米管的平均直径60nm,长度几十个微

5、米,管壁厚约4nm,呈规则的多面体结构,经分析可能是在特殊条件下纳米管以ZnO微晶体为基底生长,即底部籽晶法,生长机理如图7,初始形成富Zn的亚稳定籽晶后(图7(a)),在籽晶表面生长出一层稳定的ZnO鞘层(图7(b)),随着ZnO鞘的生长,亚稳定的籽晶慢慢消失,这样就得到了ZnO的纳米管结构(图7(c)),底部籽晶法有可能成为ZnO生长技术创新的一个突破口,为氧化锌单晶的产业化生产提供一条可行的途径。通过控制生长参数、改变反应条件等,气相生法能在不同的衬底上生长出不同种类、不同结构的半导体氧化物单晶。2005年,美国佐治亚理学院王中林领导的研究小组在此法的基

6、础上发了气固生长法(原理、装置与气相生长法相同),仅生长出了ZnO纳米带,还制备出了一系列功氧化物的纳米带家族(如SnO2、In2O3、CdO纳米带)以及相关的纳米棒、纳米线等,此外还实了氧化锌纳米带向超晶格结构的纳米螺旋结构(类似DNA螺旋结构)的转变。通过高倍扫描电子微镜观察(图8),所得纳米螺旋结构的直径为300-700nm,宽度为100-500nm,间距为500-2500nm。图8(a)、(c)分别为左手型,图8(b)为右型,图8(d)是高倍SEM下ZnO右手型呈现均匀滑的完美结构。X射线能谱分析显示没有任何缺陷和杂质。目前,此研究组已经将压电纳米带和

7、纳米环成功应用到微米、纳米电化学系统中的传感器、转换器、激励器中,但由于其合成条件及成本的限制,离市场化还很有很长一段时间。气相生长法制得的纳米ZnO粒径小,产品单分散性好,反应条件易控制,易得到均匀的超细粒子。缺点是产物中有原料残存,工艺技术较复杂,成本高,一次性投资大。3.水热法制备纳米ZnO水热法是将反应前驱物可溶锌盐溶液和碱分置于管状高压釜中,在反应温度300℃,体系压力20MPa下,分置的锌盐和碱液迅速混合进行反应。其实质是:将可溶性锌盐和碱液混合形成氢氧化锌的“沉淀反应”和氢氧化锌脱水生成氧化锌的“脱水反应”集合在同一反应器内同时完成,得到比普通水

8、热反应颗粒度小许多的结晶完好的ZnO晶

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