电子电路设计与调试

《电子电路设计与调试》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第1章　电子电路设计与调试综述　　1．1电子电路系统设计综述　　1．1．1电子电路系统设计的基本原则　　1．满足系统功能和性能要求　　电子电路系统设计、研制过程自始至终是设计者满足适应设计任务书中规定的系统功能和性能要求的过程。好的设计必须完全满足设计要求的功能特性和技术指标。　　2．电路简单、成本低、体积小　　在满足功能和性能要求的前提下，电路越简单、元器件越少、失效率越低、可靠性越高，越经济。必须指出，设计过程中采用系统集成技术是简化系统电路最好的方法。　　3．电磁兼容性好　　符合国际、国家电磁兼容性标准，是现代电子产品尤其是高速、高频电子产品和电子系统鉴定

2、定型的必备条件。产品要经过电磁兼容性认证。所以一个电子系统应具有良好的电磁兼容特性，要进行电磁兼容性及抗干扰设计。实际设计时，设计结果必须满足给定电磁兼容条件，以确保系统正常工作。如设计任务中未给出，应查国家电磁兼容性标准，按国家标准设计。　　4．可靠性高　　电子电路系统的町靠性要求与系统的实际用途、使用环境等因素有关。一般情况下，大型电子系统必须进行可靠性设计。军品尤其如此，并专设可靠性设计师岗位从事可靠性设计、测试等工作。　　任何一种工业系统的可靠性计算都是以概率统计为基础的，因此电子电路系统的可靠性是一种定性估算，所得到的结果也只是具有统计意义的数值。实际

3、卜，电子电路系统可靠性的汁算方法和计算结果与设计人员的实践经验有相当大的关系。所以设计人员应当注意积累总结经验，提高可靠性设计水平。　　可靠性设计的基本知识、系统可靠性设计、电路可靠性设计、可靠性预计及可维修性设计基本原理受篇幅限制，本书不能一一介绍。可靠性设计有不少专著，请读者查阅。　　5．系统集成度高　　高集成度的电子系统，必定具有电磁兼容性好、，可靠性高、制造工艺简单、体积小、质量容易控制及性能价格比高等一系列优点，所以在设计电子系统时，应最大限度地提高集成度，这是设计电子系统必须遵循的重要原则。　　6．调试简便　　也就是在电子电路设计时，必须同时考虑电路

4、的调试问题。若一个电路系统，电子电第1页路调试繁琐、困难或调试点过多，该系统质量难以保证，无法达到设计要求。　　7．生产工艺简单　　生产工艺简单意味着以简单方式生产，成本低，质量易于控制。生产工艺是电子电路系统设计者应考虑的重要问题，无论是批量生产还是试制的样品，简单的生产工艺会对电路制作和调试带来很大的方便。　　8．操作简便　　操作简单方便是现代电子电路系统的重要特征，只有操作简便的电子产品才有生命力，才有市场。　　9．节能　　要求电子电路和电子系统效率高、耗电小。　　10．性能价格比高　　通常我们希望所设计的电子电路能同时符合上述各项要求，但有时会出现互相矛

5、盾的情况。例如设计中有时会遇到这样的情况：如果要使耗电最小或体积最小，则成本升高，或可靠性差，或操作复杂。在遇到矛盾的情况下，应视具体情况抓住主要矛盾来解决问题。例如对于用市电即交流电网供电的电子设备，在电路的总功耗不大的情况下，功耗大小不是主要矛盾。而对于用微型电池供电的航天电子仪器而言，功耗大小则是主要矛盾之一。　　在设计过程中应注意运用“代价交换”原则。所谓“代价交换”是指牺牲一种次要性能为代价换取另一种必备性能的提高。最普通和最容易理解的例子是研制经费与设备性能之间的交换。费用也是设备的性能，但不是技术性能，它和许多性能之间都有矛盾，牺牲一些次要性能或功

6、能以降低价格，或者不惜代价取得必要的高性能。　　1．1．2电子系统设计、研制过程　　一个电子系统、电子设备的设计没有特定的程式可循。随着计算机科技发展，传统的设计方法与电子没计自动化共存，一个电子产品的设计、生产过程有很大差别。但凡产品设计，一般应先下设计任务书，根据任务书进行设计。对于一个电子系统、电子产品设计研制一般的过程如图1．1．1所示。　　1.技术调研　　技术调研的目的是了解同类系统产品的国内、国际的水平，现有系统或产品的主要优缺点，主要关键技术、技术难点及其解决途径，关键元器件和材料供应情况，拟赶超的技术等。同时搜集技术资料。调研方法可外出调研，也可

7、在互联网上调研。　　2．可行性论证　　可行性论证分为市场需求论证、经济可行性论证、技术可行性论证。第2章　分立元件放大电路设计与调试　　一个分立元件放大电路必须由输入信号源、半导体器件、输出负载、直流电源和相应的偏置电路组成。其中，输入信号源通常是将非电量变换为电量的换能器，它们可用图　　2．1．1所示的等效电路表示，es为信号源电动势，Rs为信号源的等效内阻。　　实际放大电路可以接成多种形式，有共发射极组态的放大电路、共基极组态的放大电路、共集电极组态的放大电路。　　2．1共射放大电路设计　　共射放大器的输入端为基极和发射极，输出端为集电极和发射极，发射极是公

8、共端。在晶体管参数和元件