led基础知识+led发展数据

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1、一、LED历史LED是英文lightemittingdiode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年，通用电气公司的尼克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益

2、。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩卜*200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。二、LED芯片的原理：LED(LightEmittingDiode)，发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，

3、另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起來。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的吋候，它们之间就形成-个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。三、LED芯片的分类:1.MB芯片定义与特点定义：Meta旧onding（金属粘着）芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特

4、点：（1）采用高散热系数的材料…Si作为衬底，散热容易。ThermalConductivityGaAs:46W/m-KGaP:77W/m-KSi:125〜150W/m-KCupper:300〜400W/m-kSiC:490W/m-K（2）通过金属层来接合（waferbonding）磊晶层和衬底，同时反射光了•，避免衬底的吸收。（3）导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3〜4倍），更适应于高驱动电流领域。（4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。（5）尺寸可加大，应用于Highpower领域，

5、eg:42milMB。2.GB芯片定义和特点定义：GlueBonding（粘着结合）芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点：（1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS（Absorbablestructure）芯片的2倍以上，蓝宝石衬底炎似TS芯片的GaP衬底。（2）芯片四面发光，具有出色的Pattern图。（3）亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平（8.6mil）。（4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。3.TS芯片定义和特点定义:transparentstructure（透明衬底

6、）芯片，该芯片属于HP的专利产品。特点：（1）芯片工艺制作复杂，远髙于ASLED,（2）信赖性卓越。（3）透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。（4）应用广泛。4.AS芯片定义与特点定义：Absorbablestructure（吸收衬底）芯片;经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg:712SOL-VR，709

7、SOL-VR，712SYM-VR，709SYM-VR等。特点：（1）四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。（2）信赖性优良。（3）应用广泛。四、发光二极管芯片材料磊晶种类1.LPE：LiquidPhaseEpitaxy（液相磊晶法）GaP/GaP2.VPE：VaporPhaseEpitaxy（气相磊晶法）GaAsP/GaAs3.MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy（有机金属气相磊晶法）AIGalnP、GaN4.SH：GaAIAs/GaAsSingleHeterostruc

8、ture（单异型结构）GaAIAs/GaAs1.DH：GaAIAs/GaAsDoubleHeterostructure（双异型结•构）GaAIAs/GaAs2.DDH：GaAIAs/GaAIAsDoubleHeterostructure（双异型结构）GaAIAs/GaAIAs五、LED芯片