上电时实现延时系统复位的I.doc

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1、上电时实现延时系统复位的I　　通过给晶体管增加一些电容、二极管和电阻，使用保持时间可调的复位IC，将纯手动复位转换为自动复位。　　在大多数应用中，（手动复位）引脚通常与开关相连，为管理芯片制造手动复位信号。随后，在预先设定的有效延时时间后，其从低电平有效复位回到高电平状态。手动复位适用于大多数应用；然而，它需要人为干涉产生复位信号。在一些应用中，手动复位存在争议，因为系统每次上电时都要执行。　　更进一步，包括嵌入式处理器在内的应用需要复位输出为保持高电平——也就是说，非有效——在应用复位或低有效之前的某个时期。如图1电路在设备上电

2、时无需按下复位键的情况下，被证实是有效的，因为在复位的低信号到来之前，复位自动以预先设定的保持时间发生。　　　　电路使用带引脚和低有效输出的复位管理芯片。通常输入的内部上拉电阻为20到50kΩ。上电期间，内部电阻将电容C1充电到正向最大值VDD。为管理芯片产生复位输入，其输入必须接收低有效的地信号，需要晶体管Q1导通。这个导通的时间长度取决于R1和C2的RC时间常数。这两个器件决定Q1什么时候导通，从而为输出提供保持时间可调的高电平。为增加保持时间，增加R1和C2的RC时　　间常数即可。　　复位管理芯片只在管脚的电压超过触发阈值电

3、压和管理器内部复位周期结束时，产生输出。这个延时时间滤除了所有输入电压的毛刺。因为Q1的导通，使C1的负向变为地。而C1的正向不能立即改变极性，其被拉低并通过输入的内部上拉电阻，缓慢的再次充电。当达到复位芯片的阈值电压时，一旦达到芯片的延时时间便输出复位信号。C1的选择并不严格。然而，它的值应该尽量大——例如0.1到10µF——使C1和内部上拉电阻所得的RC时间常数足够大。这个值确保C1在引脚上保持了至少1us的低电平。　　C2充电到Q1的偏置电压后，晶体管仍然导通。在下一次上电或手动按键复位电路时，晶体管C2放电。这个动作一旦发

4、生，Q1关闭。R1将C1的负向充电到供电电压VDD。因为电容C1的正向不能立即改变，其表现为充电到2VDD。然而，保护二极管D1将C1的电压箝位到仅为VDD加上二极管的导通电压。一旦C2充电足够使Q1再次导通时，重复循环。