华灿光电谈Mini LED芯片新进展.doc

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1、华灿光电谈MiniLED芯片新进展　　近日华灿光电在互动平台上简要谈到其在miniLED芯片方面取得的一些进展。　　华灿光电表示，在miniRGB方面，华灿光电采用的是结构更加稳定的DBR+ITO结构的倒装芯片，并且在芯片台阶以及侧壁做了绝缘层的优化，进一步的提高了芯片的可靠性。另外还特别针对mini红光LED芯片的衬底转移技术进行了优化，提升整体良率的同时提升了可靠性。　　华灿光电表示，miniRGB芯片目前已经实现量产，并且已经成为国内外几个主要下游玩家的供应商。在miniBLU方面，为了实现超薄背光模组的均匀混光，华灿光电同国内外下游以及终端厂家配合开发容易实现

2、均匀混光的LED芯片。目前，华灿光电的miniBLU常规芯片可以实现量产，并且已经切入几个重要下游客户的供应链。　　华灿光电还就当前几种转移技术的发展情况做了如下讨论：　　根据现在市场上比较常规的定义，miniLED是指用于显示应用的芯片尺寸在80-300um之间的基于倒装结构LED芯片。　　MiniLED在显示上主要有两种应用，一种是作为自发光LED显示（下称miniRGB），由于封装形式上不需要打金线，相比于正装小间距LED，即使在同样的芯片尺寸上miniLED也可以做更小的显示点间距。另外一种是在背光上的应用（下称miniBLU）。相比于传统的背光LED模组，m

3、iniLED背光模组将采用更加密集的芯片排布来减少混光距离，做到超薄的光源模组。　　MiniLED无论在哪种应用中，都涉及到对大量LED芯片的转移。目前针对microLED开发的巨量转移技术，包括Luxvue采用静电力，ITRI采用的电磁力，Xceleprint采用的范德华力，原则上都能用于miniLED芯片的转移。但是目前这些转移技术都需要对包括转移头，转移设备做特殊的设计制作，技术上也并没有完全成熟和公开，制作成本相对较高。　　MiniLED相比于microLED，首先有相对较大的芯片尺寸，而且带有更加硬质的衬底。因此miniLED的转移有更高的精度容忍度，并且芯

4、片由于带有衬底对芯片的拾取操作上有更多的灵活性。基于miniLED的这些特点，各家也都有在开发miniLED相关的转移技术。目前比较容易达成量产的几个技术分别如图。　　第一个是从现有的pickandplace设备上做改进，设置多个的pickupheads来增加拾取和放置的效率。这种方案技术难度不是特别大，容易实现量产，但是产能上只能做到倍数上的成长，无法实现数量级上的增加。　　　　第二种方案是把放置有芯片的临时性基板和最终的背板相对放置，利用顶针直接把芯片顶出蓝膜放置到最终基板上。相比于第一种的pickandplace方案，这种方案减免了摆臂的来回运行，提高了转移效率

5、。如果芯片在蓝膜上放置位置同最终背板的控制电极位置一致，配合上多顶针的方式，能够实现巨量转移技术，从数量级上提升转移效率。　　　　第三种方案同第二种方案类似，芯片放置于UV膜上并且芯片位置同背板的控制电极位置相对放置，然后通过UV光把LED芯片选择性的或者整面的转移到最终背板上面。这种方案基本上能实现真正的巨量转移技术，但是对芯片分选到UV膜上时的摆放精度有一定的需求。