英特尔高级院士Mark Bohr：10年内看不到摩尔定律终点.doc

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1、英特尔高级院士MarkBohr：10年内看不到摩尔定律终点　　【导读】英特尔高级院士MarkBohr说：“20年前，业内权威人士说，摩尔定律至少还可维持10年；10年前，业内权威人士又说，摩尔定律至少还可维持10年；今天，我仍要说，摩尔定律至少还可以维持10年。”　　随着CMOS硅工艺尺寸越来越小，有关硅CMOS工艺什么时候接近物理极限，从而导致摩尔定律不再成立的争论最近在业内不绝于耳，10年前有业内权威人士说7nm将是CMOS硅工艺的物理极限，今天又有人说3nm是物理极限。在我们这些媒体记者眼里，CMOS硅工艺物理极限一直在不断被突破。　　2017年9月

2、19日，一直在业内低调不发声的英特尔终于开始发威了，在北京瑰丽酒店举办的“领先·无界”英特尔精尖制造日活动上，挟英特尔最新10nm工艺晶体管密度超出三星和台积电（TSMC）2倍以上之威，英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监MarkBohr公开说：“今天我还看不到摩尔定律的终点在哪。20年前，业内权威人士说，摩尔定律至少还可维持10年；10年前，业内权威人士又说，摩尔定律至少还可维持10年；今天，我仍要说，摩尔定律至少还可以维持10年。”　　　　图1：英特尔最新10nmCMOS工艺比竞争友商10nm技术领先了整整一代　　图2：英特尔高级院士、技

3、术与制造事业部制程架构与集成总监MarkBohr　　英特尔最新宣布的10nm制程工艺不仅拥有全球最密集的晶体管和金属间距，还首次采用了超微缩技术，这两大优势保证了英特尔在晶体管密度指标上的领先性。　　英特尔执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁StacyJ.Smith说：“我们最新的10nm制程工艺比竞争友商的10nm技术领先了整整一代，并将于今年年底前投产。”　　英特尔最新10nm制程工艺所取得的成就告诉我们，摩尔定律还在继续发挥着作用，而且实现摩尔定律的方法也不单单依靠工艺尺寸减小带来的晶体管尺寸缩小，还可以依靠其它的设计技术，如英特尔独特的超微缩技术。

4、　　MarkBohr表示：“我们目前已经在开发7nm制程工艺，5nm和3nm工艺技术则还在理论研究阶段。至少在我们可看见的时间段内，半导体产业还无法去忽视摩尔定律所带来的经济性，也就是说，你在一个芯片上生产的晶体管数量越多，经济性就越高，芯片生产成本就越低。这个摩尔定律现在你还不能够忽略。”　　除了采用更大的晶圆和更小的工艺尺寸进行芯片制造以外，将不同die集成在一个芯片封装上的SiP技术也是目前业界通常采用的降低芯片成本的一个方法。MarkBohr透露：“其实英特尔目前也正在探索多芯片封装的技术路线，有的可能是现在就可以用的，有的更多地是针对未来的应用。

5、目前英特尔的多芯片封装技术也有两种，第一种是传统的芯片封装技术，第二种是我们正在讨论的EMIB封装技术，这是一种嵌入式的互联桥接技术，它既可以都是英特尔自己的芯片，也可以是把其他厂商的芯片封装在一起。第三种是未来的芯片封装技术，我们正在探索的是把不同的芯片以3D堆叠的方式封装起来。”　　他说，当然，可能未来会发展到这样一个阶段，单纯的只是在一个制程技术上集成更多芯片也已经不够用了，这个时候我们就要考虑将基于不同制程技术的异构芯片集成在一个封装里。　　今年英特尔晶圆制造事业部选择在北京高调亮相，主要目的是想告诉中国乃至全球市场，英特尔要开始对外承接芯片代工业

6、务了，而且代工水平要远远高出三星和TSMC，中芯国际就更不要说了。　　上海展锐已经借助英特尔14nmFinFET工艺成功生产了9861和9853基带芯片，展锐董事长李力游博士非常满意，这次也亲自到北京为英特尔站台背书。　　为了吸引中低端物联网芯片供应商，英特尔这次还特别推出了22FFL纳米工艺平台，这是一种大众化FinFET工艺，既具备卓越的集成能力，又可以满足客户对快速上市时间和高性价比设计的要求。　　MarkBohr表示：“22FFL大众化FinFET工艺平台非常适合高度集成、对成本敏感的产品，且对高性能和低功耗有较高要求的IOT芯片客户。22FFL工

7、艺的漏电流是22GP工艺的5百分之一，特别适合IOT终端市场要求。这并不容易实现，我们克服了极大的困难和挑战，才实现了这样低的一个漏电性能。”　　而且，MarkBohr说，英特尔最新的工艺技术都不会拿客户做白老鼠，到目前为止，新工艺的首款产品一定都是英特尔自己的产品。事实上，不管是14纳米还是10纳米FinFET制程工艺，其本身会有一些衍生品。也就是说，对于同一个制程技术，我们还会推出一些优化的增强功能或技术，事实上有很多的优化需求都是由我们新一代工艺的代工客户提出来的。这些优化工艺其实是为了更好地支持这些客户而做的改进，我们也非常愿意这样去做。　　未来有

8、可能在IOT芯片制造市场上对22FFLFinFET工艺平台构成挑战