行动式内存第三季或将持平，分离式行动内存价格或将小涨.doc

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1、行动式内存第三季或将持平，分离式行动内存价格或将小涨　　根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第二季行动式内存合约价持续受到第一季非市场因素的影响，报价普遍趋于保守，涨价幅度低于其他应用别产品，以分离式行动内存(discrete)来说，第二季平均涨幅落在1%以内，eMCP则受NANDFlash价格下跌影响，平均价格跌幅约1%。　　DRAMeXchange指出，展望第三季，随着传统旺季来临，智能手机生产数量预估将较第二季成长5%~10%。从行动式内存供给面来看，受到SK海力士及美光投片增加贡献，以及新制程转进良率提升等带动产出，可望稍加缓解第三季供给紧张的态势，预估

2、第三季合约价走势和第二季相似，分离式行动内存价格将持平或略为小涨，eMCP价格则可望持平或略为下跌。　　　　另一方面，主流供货商为有效消耗NANDFlash产能，积极营销智能手机搭配大容量(MoreNAND)eMCP，并祭出优惠价吸引买气，从中国品牌Huawei、Xiaomi、OPPO、Vivo于上半年度发表的旗舰新机上可见端倪，相较于去年主流的64GB+32Gb规格，品牌厂今年纷纷将内存规格提升至128GB+48Gb。　　前述主流供货商提升NANDFlash容量的策略，确实舒缓原先3DNANDFlash产能开出恐导致产能过剩的状况，然而，与NANDFlash搭配的DRAM容量也由去年主流

3、的32Gb拉升至48Gb，需求大幅成长，使得原本供给已吃紧的LPDDR4X系列面临更大的供给缺口。DRAMeXchange指出，由于下半年将有iPhone新机及Android阵营旗舰新机的推出，预估LPDDR4X的搭载比例将较上半年提升，因此，厂商恐将面临LPDDR4X备料难度的提升，以及议价空间压缩的情况。　　DRAMeXchange指出，观察行动式内存价格波动，相较于PC、服务器用内存价格今年上半年仍持续走扬，行动式内存市场受到手机生产生命周期短、采用规格多且复杂，加上手机AP绑定内存产品规格等特性影响，以及手机品牌成本压力持续增加，原厂若大幅调涨合约价将冲击品牌厂提高手机搭载容量的意

4、愿等因素，使得行动式内存价格波动相对较小，预计此缓涨、缓跌的格局将持续。