型cuni双金属层基带制备及csd技术制备lzo缓冲层

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4、，rlilllY1844585FabricationofaNewCu．NiBi．metallicSubstrateandDepositionofLa2Zr207(LZO)FilmonMetallicSubstratebyChemicalSolutionDepositionProcess}镰■■PbyYuZemingSupervisor：AcademicianZhouLianProfessorZhangPingxiangNorteasternUniversityJune2008_.声p一／：J尸本人声明，所

5、争交的学位论文是在导师的指导下完成的。论文中取得的研究成果除加以标注和敛驸的地办外，不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，也小包括本人为获得其他学f妒而使用过的材料。与我一一同工作的同志对本研究所做的fI何贞献均己伍论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：亏厍铭日期：≯Ⅳ5，‘2．0学位论义版权使用授权书本学化论义作者和指导教师完全了解东北大学有关保留、使用学位论文的规定：Ⅱ

6、j学校仃权保留并向陶家有关部I’J或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论义被务

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8、÷手帅川意网l：交流的时问为作者获得学位后：、r-．'4-：口‘年口一年半口两年口学位沦文作者签名：吁佯毵导师签名：签。声}i期：A∥k，‘．2．0签字F1期：心◆l卜旷!'f.东北大学博士学位论文摘要新型Cu—Ni双金属层基带制备及CSD技术制备LZO缓冲层摘要二十fcc纪90年代仞，美同和R本的研究人员在织构化的柔性会属基带上成功地移C移{了具有良好超导性能的YBCO超导层。这种工艺技术为制备YBCO超导带材提供了新的思路，这种新型的复合带材被称为涂层导体。涂层导体的基本结构可分为会属基带、缓冲层、YBCO超导层和保护层。由于涂层导体比Bi．2223／A

9、g带材具有更好的商场超导性能，近十年来研发涂层导体制备技术吸引了众多的材料研究肯。fifj，J．对涂层导体制备技术的研究主要集中在研发低磁、高机械强度、≥￡仃锐利移办钐I构的金属基带，简化缓冲层结构和丌发低成本高性能YBCO层制备技术儿个办嘶。本论文以丌发低成本涂层导体制备技术为指导思想，对采用电化学沉积技术4：具有’澎方织构的铜皋带上沉移{镍层、进而丌发一种新型涂层导体用Cu．Ni双金属Jl琏，}{}和化学溶液杉C移{技术制备La2Zr207(LZO)缓冲层进行了深入的研究。从降低交流损耗的角度考虑，无磁性的Cu是一种较好的涂层导体用金属基带材料。ffl是

10、Cu作为基带材料具有织构热稳定性不好和抗氧化性差的缺点。通过在其衷嘶沉积Ni层可以加以克服。这种新型Cu．Ni双余属层基带在随后制备缓冲层或YBCO超导层的热处理过程中，Cu、Ni层之I、日J的+旺扩散可降低基带磁性。在本论文中，首先研究了采用轧制一再结晶热处理技术制备具有立方织构的Cu带，具体分析了，营,4：L；til)；II．I：率、道次加工：率、再结晶处理温度和时间等过程参数对Cu带‘移办织构锐利度的影响，以及分析了在样品纵断面上的织构不均匀性。然后对利．用电沉移{技术钮具有立方钐{构的Cu带表面沉积织构化的Ni层进行了研究，重点讨论了／fi闻沉干J{

11、条件对Ni层织构的影响，以及形成立方织构Ni沉积层的条件。实验结果％l!示：最终再结晶处理6仃的牟L韦,JJJHI率必须人于临界值／j。能获得高体积分数的‘眵方织构，其他轧制．再结品热处理过程参数仅对立方织构锐利度有一定影响。Ni层织构4<仅受到电沉积参数的影响，Cu基带表面的特征也将影响Ni层的彭l构。对Cu．Ni双金属基带磁滞回线的测试结果显示该会属基带所引起的磁滞损东北大学博士学位论文摘要耗小于Ni．5at％W合会基带所产生的磁滞损耗。缓冲层所必需承担的织构传递和扩散5H隔两人功能决定了缓冲／2-结构多足多种氧化物层组成的复合结构。众多的缓冲层结构中，

12、La2Zr20T／Ce02结构受到了越来越多的关注。本论文在对制备LZO膜用前驱溶液的分解特性、成柑过私研究的基础E，对化学溶液沉积技术制备LZO膜的各影响冈索进行了个ff『『分析。汀先，以自行提出的一种金属基带表面硫化改性处理技术为基础，讨论了仓属桀带I{f构表面对化学溶液沉积技术制备的LZO膜外延生长的影响。指}}{尤法坼独通过农Ifli硫化改性处理技术改善LZO膜的外延生长情况，但进一步的研究说明c(2×2)．S超结构可以有效地控制在金属基带表面形成的LZO初生品层的耿向。这埘稳定获得具有立方织构的LZO膜十分重要。其次，对LZO膜的外延7卜长lSM'

13、,filJI)i1索的研究结果盟示，晶化前的LZO膜