化学：2.1《化学反应的方向》测试（鲁科版选修4）

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1、《化学反应的方向》检测题A卷(基础训练)（时间：45分钟满分：100分）一、选择题（本题包括10小题，每小题5分，共50分。每小题只有一个选项符合题意）1.下面是生活中的几个自发过程，你认为其中能用熵判据解释的是（）。A.自然界中水由高处往低处流B.0℃时水变为冰C.墨水滴到水中会扩散到整个水体D.铁器暴露在潮湿空气中会生锈并放出热量2.如果一个反应△H－T△S值为零，则此反应（）。A.能自发进行B.是放热反应C.不进行D.处于平衡状态3.下列几个过程中，属于熵减的变化是（）。A.干冰的升华B.NaCl溶于水

2、C.NH3(g)+HCl(g)==NH4Cl(s)D.2Na+2H2O==2NaOH+H2↑－14.已知：Mg(s)+Cl2(g)==MgCl2(s)△H(298K)=－642kJ·mol，试判断下列说法正确的是（）。A.在任何温度下，正向反应是自发的B.在任何温度下，正向反应是不自发的C.高温下，正向反应是自发的；低温下，正向反应不自发D.高温下，正向反应是不自发的；低温下，正向反应自发5.以下自发过程可用能量判据来解释的是（）。A．硝酸铵自发地溶于水B．两种理想气体自发混合时热效应为0－1C．(NH4)2

3、CO3(s)==NH4HCO3(s)+NH3(g)△H=+74.9kJ·mol－1D．2H2(g)+O2(g)=2H2O(l)△H=-571.6kJ·mol6.下列关于自发过程的说法中正确的是（）。A.自发过程的逆过程在此条件下是非自发的B.自发变化一定能进行，非自发变化一定不能进行C.自发反应一定能进行彻底D.可以通过改变温度或加催化剂的办法使非自发反应转变为自发反应7.常温下氯化－1铵自发溶解过程表示如下，NH4Cl(s)==NH4＋(aq)+Cl－(aq)△H(298K)=14.7kJ·mol，下列关于

4、此过程的判断中正确的是（）。A.溶解过程都是吸热的B.此过程的熵变一定大于0C.无法判断此过程的熵变大小D.氯化铵的溶解过程在任何温度下都自发8.已知碳酸钙的分解①CaCO3(s)==CaO(s)+CO2(g)仅在高温下自发；氯酸钾的分解②2KClO3(s)==2KCl(s)+3O2(g)在任何温度下都自发，下面有几组焓变数据，其中可能正确的是（）。A.△H－1－11＝－178.32kJ·mol△H2＝－78.3kJ·molB．△H－1－11＝178.32kJ·mol△H2＝－78.3kJ·molC．△H－1

5、－11＝－178.32kJ·mol△H2＝78.3kJ·molD．△H－1－11＝178.32kJ·mol△H2＝78.3kJ·mol9.碳酸铵[(NH4)2CO3]在室温下就能自发地分解产生氨气，对其说法中正确的是（）。A.碳酸铵分解是因为生成了易挥发的气体，使体系的熵增大B.碳酸铵分解是因为外界给予了能量C.碳酸铵分解是吸热反应，此反应不应该自发进行，必须借助外力才能进行D.碳酸盐都不稳定，都能自发分解10.已知石墨、金刚石燃烧的热化学方程式分别为C(石墨，S)+O2(g)==CO2(g)△H(298K)

6、=-393.5kJ/mol和C(金刚石，S)+O2(g)==CO2(g)△H(298K)=-395.4kJ/mol，已知相同条件下石墨的熵值大。从理论上判断下列关于金刚石和石墨的相互转化的说法正确的是（）A.石墨转化成金刚石是自发进行的过程B.石墨转化成金刚石的反应必须借助外动力C.石墨转化为金刚石仅在高温下自发D.金刚石转化为石墨仅在高温下自发二、填空题（本题包括3小题，共28分）11.（12分）判断下列过程的熵变的正负（填“>0”或“<0”）(1)溶解少量蔗糖于水中，△S__________；(2)纯碳和

7、氧气反应生成CO(g)，△S__________；(3)液态水蒸发变成水蒸气，△S____________；(4)CaCO3(s)加热分解生成CaO(s)和CO2(g)，△S____________。12.（8分）已知反应N－1－1－12O4(g)==2NO2(g)△H=57.24kJ·mol△S=176J·mol·K则在298.15K时该反应自发向进行（填“左”或“右”），在500K时反应自发向进行。13.（8分）由铁矿石生产金属铁有两种可能的途径：①Fe2O3(s)+3∕2C(s)==2Fe(s)+3∕2

8、CO2(g)△H=231.93kJ·mol－1△S=276.32J·mol－1·K－1②Fe2O3(s)+3H2(g)==2Fe(s)+3H2O(g)△H=96.71kJ·mol－1△S=138.79J·mol－1·K－1(1)试判断这两个反应在高温还是低温下自发进行。(2)上述反应中的（填序号）可以在较低温度下进行。三、计算题（本题包括2小题，共22分）14.（10分）电子工业中清洗硅片上的SiO