常见材料禁带值

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1、实用标准文案精彩文档实用标准文案精彩文档实用标准文案SSi6团簇存在三个可能的基态结构，从能量的角度考虑，面带帽三角双锥和扭曲五棱锥分别是第二和第三近基态低能同分异构体，都具有C1对称性，其结合能比基态结构分别高0.635和1.519eV.闪锌矿结构AlSb是一种性能优良的直接带隙半导体材料［1］，禁带宽度为1．6eV，与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配，非常适合用作太阳电池中的光吸收层，制造成太阳电池的理论转换效率可高达27%［2］。而Al和Sb在地球上储量非常丰富，在生产和使用过程中无毒，并有很好的环境相容性。因此，AlSb是一种具有潜在应用前景的无毒、环保的新型光电转换材料.

2、闪锌矿结构AlSb属于F43m空间群。晶格常数0．6136nm［13］，原子坐标是Al(0，0，0)和Sb(0．25，0．25，0．25)。文中所用计算模型是在AlSb单晶胞的基础上构造2×2×1的超晶胞如图精彩文档实用标准文案1(a)所示，从图中可看出，AlSb中Al-Sb键长都为0．2631nm，Cd-S键之间的键角为109°47'。Cu、Zn分别替换晶棱上的一个Al原子后的超晶胞结构模型如图1(b)所示利用AlSb的1.6eV能隙宽度,可以充分的将太阳光能转换成电能。但AlSb的电子亲合势为3.6eV,难以找到合适的金属背电极来与之形成欧姆接触。本发明提出一种新的AlSb电池结

3、构。在透明导电玻璃面上,沉积一层ZnS作为电池的窗口层,用p-AlSb作为入射光的吸收层,选用GaSb作为AlSb与背金属电极之间的过渡层,选用Al作为背金属电极。本发明提出的AlSb太阳电池结构,可以充分利用太阳光的335-767nm波段,有效解决AlSb与金属背电极的欧姆接触特性,从而获得高的填充因子和光电转换效率。InP和InAs作为两种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体，它们的合金InAsxP1-x理论上可以实现从近红外(InP带隙:1.34eV)到中红外(InAs带隙:0.35eV)可调。然而，由于P和As在In合金中不同的溶解度，合成全组分可调的InAsxP1-x纳米线面临较大困难。为

4、了合成高P含量的InAsxP1-x,当前通常采用MOCVD或者MBE等方法，通过加大源料中P蒸汽压浓度的方法来实现。---------------------几种_族半导体纳米线的合成及光_电_热特性研究_任品云(1)heshortwavelengthHgCdTeinfrareddetectorarraysproducedHgTeisazerogapsemiconductorwhenitissandwichedbetweenCdTelayerstoyieldtoasmallgapHgTe/CdTesuperlatticewhichisthekeyofaninfrareddetecto

5、r__________________________70550C精彩文档实用标准文案CuWO4的直接帯隙和间接帯隙分别为1.96eV和3.3eV。直接带隙1.96eV帯隙对应于632nm,说明了可在可见光范围内响应。______________窄带半导体Bi2MO6CuWO的合成与光催化性能的研究精彩文档实用标准文案精彩文档实用标准文案精彩文档实用标准文案-------------------------------------------------am5036626精彩文档